040.1785.201211
ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅԱՆ ԿԱՌԱՎԱՐՈՒԹՅՈՒՆ
ՈՐՈՇՈՒՄ
15 դեկտեմբերի 2011 թվականի N 1785-Ն
ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅՈՒՆԻՑ ԱՐՏԱՀԱՆՎՈՂ ԵՎ ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅԱՆ ՏԱՐԱԾՔՈՎ ՏԱՐԱՆՑԻԿ ՓՈԽԱԴՐՎՈՂ ԵՐԿԱԿԻ ՆՇԱՆԱԿՈՒԹՅԱՆ` ՀՍԿՎՈՂ ԱՊՐԱՆՔՆԵՐԻ, ԻՆՉՊԵՍ ՆԱԵՎ ՓՈԽԱՆՑՎՈՂ ԵՐԿԱԿԻ ՆՇԱՆԱԿՈՒԹՅԱՆ ՏԵՂԵԿԱՏՎՈՒԹՅԱՆ ԵՎ ՄՏԱՎՈՐ ԳՈՐԾՈՒՆԵՈՒԹՅԱՆ ԱՐԴՅՈՒՆՔՆԵՐԻ` ՀՍԿՎՈՂ ՈՉ ՆՅՈՒԹԱԿԱՆ ԱՐԺԵՔՆԵՐԻ ՑԱՆԿԵՐԸ ՀԱՍՏԱՏԵԼՈՒ ԵՎ ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅԱՆ ԿԱՌԱՎԱՐՈՒԹՅԱՆ 2007 ԹՎԱԿԱՆԻ ՀՈՒԼԻՍԻ 6-Ի N 822-Ն ՈՐՈՇՈՒՄՆ ՈՒԺԸ ԿՈՐՑՐԱԾ ՃԱՆԱՉԵԼՈՒ ՄԱՍԻՆ
(8-րդ մաս)
2E002 «Տեխնոլոգիաներ», որոնք, համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրությունների նախատեսված են 2A կամ 2B կետերով հսկվող սարքավորումների «արտադրության» համար:
2E003 Այլ «տեխնոլոգիաներ», ինչպիսիք են.
a. «Տեխնոլոգիաներ»` ինտերակտիվ գրաֆիկաների «մշակման» համար որպես «թվային ծրագրային կառավարման» հանգույցների անբաժանելի մաս, որոնք նախատեսված են ծրագրային ապահովումների տարրերի նախապատրաստման կամ ձևափոխման համար,
b. «Տեխնոլոգիաներ»` մետաղամշակման արտադրման տեխնոլոգիական գործընթացների համար, ինչպիսիք են.
1. «Տեխնոլոգիաներ» գործիքների, մամլակաղապարների կամ սեղմիչ հարմարանքների նախագծման համար` հետևյալ գործընթացներից որևէ մեկում օգտագործվելու նպատակով.
a. «Գերպլաստիկ ձևավորում»;
b. «Դիֆուզիոն եռակցում»; կամ
c. «Անմիջական գործողությամբ հիդրավլիկ մամլում»:
2. Տեխնիկական տվյալներ, որոնք կազմված եմ գործընթացի այնպիսի մեթոդներից կամ պարամետրերից, որոնք թվարկված են ստորև և կիրառվում են հետևյալ հսկողության համար.
a. Ալյումինային և տիտանային համաձուլվածքների կամ «գերհամաձուլվածքների» «գերպլաստիկ ձևավորում»;
1. Մակերևույթի նախապատրաստում;
2. Դեֆորմացիայի աստիճան;
3. Ջերմաստիճան;
4. Ճնշում:
b. «Գերհամաձուլվածքների» կամ տիտանի համաձուլվածքների «դիֆուզիոն եռակցում».
1. Մակերևույթի նախապատրաստում;
2. Ջերմաստիճան;
3. Ճնշում:
c. Ալյումինի կամ տիտանի համաձուլվածքների «ուղղակի գործողության հիդրավլիկ մամլում».
1. Ճնշում;
2. Ցիկլի տևողություն:
d. Ալյումինի, տիտանի համաձուլվածքների կամ «գերհամաձուլվածքների» «տաք իզոստատիկ խտացում».
1. Ջերմաստիճան;
2. Ճնշում;
3. Ցիկլի տևողություն:
c. «Տեխնոլոգիաներ»` «թռչող սարքերի» իրանային կոնստրուկցիաների արտադրության համար հիդրավլիկ արտաձգիչ կաղապարման մեքենաների և համապատասխան մատրիցաների/մամլամատերի «մշակման» կամ «արտադրության» համար
d. «Տեխնոլոգիաներ»` «թվային կառավարման» հանգույցների ներսի նախագծային տվյալներից մեքենայական հրամանների գեներատորների (օրինակ` ծրագրային տարրերի) «մշակման» համար:
e. «Տեխնոլոգիաներ»` ինտեգրման «ծրագրային ապահովում» «մշակելու» համար` գործարանային արտադրամասերում «թվային կառավարման» հանգույցների մեջ գործողությունների հերթականության մասին բարդ որոշումներին օժանդակող փորձագիտական համակարգեր ներկառուցելու համար:
f. «Տեխնոլոգիաներ»` մակերևույթների ոչ օրգանական ծածկույթապատումները կամ մակերևույթների ոչ օրգանական ծածկույթապատումների փոփոխությունը (ինչպես հատկորոշված է հետևյալ աղյուսակի 3-րդ սյունակում) ոչ-էլեկտրոնային սուբստրատների վրա (ինչպես հատկորոշված է հետևյալ աղյուսակի 2-րդ սյունակում) իրականացնելու համար, հետևյալ աղյուսակի առաջին սյունակում հատկորոշված գործընթացների միջոցով և ըստ Տեխնիկական ծանոթագրության մեջ հատկորոշված հանգամանքների:
Ծանոթագրություն. Աղյուսակը և տեխնիկական ծանոթագրությունը ներկայացված են 2E301 կետից հետո:
Հ.Ծ. Այս աղյուսակը կարելի է ընթերցել որևէ առանձին ծածկույթապատման գործընթացի համար օգտագործվող «տեխնոլոգիան» հատկորոշելու համար, միայն երբ արդյունքում ստացված երեսապատող ծածկույթը, 3-րդ սյունակում գրված է 2-րդ սյունակում համապատասխան պարբերության անմիջապես դիմաց, որում հատկորոշված է տեխնիկական սուբստրատը: Օրինակ քիմիական գոլորշիով գազաֆազային ծածկույթապատումով (CVD) ծածկույթապատման գործընթացի մասին տեխնիկական տվյալները ներառված են ածխածին-ածխածին, կերամիկայի և մետաղական «մատրիցաների» «կոմպոզիտային» սուբստրատների վրա սիլիցիդային կիրառումների համար, բայց չեն ներառված «ցեմենտավորված վոլֆրամ կարբիդի» (16), «սիլիցիումային կարբիդի» (18) սուբստրատների վրա սիլիցիդների կիրառման համար: Երկրորդ դեպքում արդյունքում ստացվող ծածկույթապատումը չի թվարկվում 3-րդ սյունակի տակ անմիջապես 2-րդ սյունակի «ցեմենտավորված վոլֆրամ կարբիդի» (16), «սիլիցիումային կարբիդի» (18) դիմաց:
2E101 «Տեխնոլոգիա», որը, համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության, նախատեսված է 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116 2B119-ից 2B122 կամ 2D101 կետերում հատկորոշված սարքավորումների կամ «ծրագրային ապահովման» օգտագործման համար:
2E201 «Տեխնոլոգիա», որը, համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության, նախատեսված է 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225-ից 2B233, 2D201 կամ 2D202 կետերում հատկորոշված սարքավորումների կամ «ծրագրային ապահովման» օգտագործման համար:
2E301 «Տեխնոլոգիա», որը, համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության, նախատեսված է 2B350-ից 2B352 կետերում թվարկված ապրանքների «օգտագործման» համար:
ԾԱԾԿՈՒՅԹԱՊԱՏՄԱՆ ՏԵԽՆՈԼՈԳԻԱՆԵՐԻ ԱՂՅՈՒՍԱԿԸ
._____________________________________________________________________.
|1. Ծածկույթապատման |2. Հիմքային շերտը / |3. Վերջնական |
|գործընթացի անվանումը |սուբստրատը |ծածկույթապատվածքը |
|(1)*2 | | |
|_____________________________________________________________________|
|___________ |
|2* Փակագծերի մեջ ներառված թվերը վերաբերում են սույն Աղյուսակից հետո |
| տրված ծանոթագրություններին: |
|_____________________________________________________________________|
|A. Քիմիական գոլորշիով |«Գերհամաձուլվածքներ» |Ալյումինիդներ` ներքին |
|գազաֆազային | |անցումների համար |
|ծածկույթապատում (CVD) | | |
| | | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Կերամիկաներ (19) և |Սիլիցիդներ |
| |լայնացման փոքր |Կարբիդներ |
| |գործակցով ապակիներ` |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |(14) |Ալմաստ, |
| | |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Ածխածին-ածխածին, |Սիլիցիդներ |
| |Կերամիկական և |Կարբիդներ |
| |մետաղական «մատրիցա» |Դժվարահալ մետաղներ, |
| |«կոմպոզիտներ» |Վերը թվարկված նյութերի |
| | |խառնուրդները (4) |
| | |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| | |Ալյումինիդներ, |
| | |Համաձուլված |
| | |ալյումինիդներ (2), |
| | |Բորի նիտրիդ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մետաղակերամիկական |Կարբիդներ, |
| |վոլֆրամի կարբիդ (16), |Վոլֆրամ, |
| |Սիլիցիումի կարբիդ (18)|Վերը թվարկված նյութերի |
| | |խառնուրդները (4), |
| | |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մոլիբդեն և մոլիբդենի |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |համաձուլվածքները | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Բերիլիում և |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |բերիլիումի համա- |Ալմաստ, |
| |ձուլվածքները |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տվիչային պատուհանների |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |նյութեր (9) |Ալմաստ, |
| | |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
|Ջերմային-գոլորշիացմամբ| | |
|ֆիզիկական գազաֆազային | | |
|ծածկույթապատում | | |
|(TE-PVD) | | |
|______________________|______________________|_______________________|
|B.1. Ֆիզիկական |«Գերհամաձուլվածքներ» |Համաձուլված սիլիցիդներ |
|գոլորշիով/գազաֆազային | |Համաձուլված |
|ծածկույթապատում (PVD);| |ալյումինիդներ (2) |
|Էլեկտրոնային | |MCrAlX (5) |
|ճառագայթով | |Փոփոխված ցիրկոնիում |
|ծածկույթապատում | |(12) |
|(EB-PVD) | |Սիլիցիդներ |
| | |Ալյումինիդներ |
| | |Դրանց խառնուրդները (4) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Կերամիկաներ (19) և |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |լայնացման փոքր | |
| |գործակցով ապակիներ` | |
| |(14) | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Չժանգոտվող պողպատ (7) |MCrAlX (5) |
| | |Փոփոխված ցիրկոնիում |
| | |(12) |
| | |Դրանց խառնուրդները (4) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Ածխածին-ածխածին, |Սիլիցիդներ |
| |կերամիկական և |Կարբիդներ |
| |մետաղական «մատրիցա» |Դժվարահալ մետաղներ, |
| |«կոմպոզիտներ» |Վերը թվարկվածների |
| | |խառնուրդները (4) |
| | |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| | |Բորի նիտրիդ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մետաղակերամիկական |Կարբիդներ, |
| |վոլֆրամի կարբիդ (16), |Վոլֆրամ, |
| |Սիլիցիումի կարբիդ (18)|Վերը թվարկված նյութերի |
| | |խառնուրդները (4), |
| | |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մոլիբդեն և մոլիբդենի |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |համաձուլվածքները | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Բերիլիում և |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |բերիլիումի |Բորիդներ, |
| |համաձուլվածքները |Բերիլիում |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տվիչային պատուհանների |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |նյութեր (9) | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տիտանի համաձուլվածքներ|Բորիդներ |
| |(13) |Նիտրիդներ |
|______________________|______________________|_______________________|
|B.2 Իոնա-դիմադրողական |Կերամիկաներ (19) և |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
|տաքացման միջոցով |լայնացման փոքր |Ալմաստանման ածխածին |
|ֆիզիկական գազաֆազային |գործակցով ապակիներ |(17) |
|ծածկույթապատում (PVD) | | |
|(իոնային գալվանական | | |
|ծածկույթ) | | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Ածխածին-ածխածին, |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |կերամիկական և | |
| |մետաղական «մատրիցա» | |
| |«կոմպոզիտներ» | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մետաղակերամիկական |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |վոլֆրամի կարբիդ (16) | |
| |Սիլիցիումային կարբիդ | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մոլիբդեն և մոլիբդենի |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |համաձուլվածքները | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Բերիլիում և |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |բերիլիումի | |
| |համաձուլվածքները | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տվիչների պատուհանների |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |նյութեր (9) |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
|B.3 Ֆիզիկական |Կերամիկաներ (19) և |Սիլիցիդներ |
|գազաֆազային |լայնացման փոքր |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
|ծածկույթապատում. |գործակցով ապակիներ |Ալմաստանման ածխածին |
|(PVD) «Լազերային» |(14) |(17) |
|գազածածկույթապատում | | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Ածխածին-ածխածին, |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |կերամիկական և | |
| |մետաղական «մատրիցա» | |
| |«կոմպոզիտներ» | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մետաղակերամիկական |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |վոլֆրամի կարբիդ (16), | |
| |Սիլիցիումի կարբիդ (18)| |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մոլիբդեն և մոլիբդենի |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |համաձուլվածքները | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Բերիլիում և |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |բերիլիումի | |
| |համաձուլվածքները | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տվիչային պատուհանների |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |նյութեր (9) |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
|B.4. Ֆիզիկական |«Գերհամաձուլվածքներ» |Համաձուլված սիլիցիդներ |
|գազաֆազային | |Համաձուլված |
|ծածկույթապատում (PVD) | |ալյումինիդներ (2) |
|կատոդա-աղեղային | |MCrAlX (5) |
|պարպումով | | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Պոլիմերներ (11) և |Բորիդներ |
| |Օրգանական «մատրիցա» |Կարբիդներ |
| |«կոմպոզիտներ» |Նիտրիդներ |
| | |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
|C. Պաթեթային |Ածխածին-ածխածին, |Սիլիցիդներ |
|ցեմենտացում (տես A |կերամիկական և |Կարբիդներ |
|վերը փաթեթային |մետաղական «մատրիցա» |Դրանց խառնուրդները (4) |
|ցեմենտացման |«կոմպոզիտներ» | |
|մասին) (10) | | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տիտանիումի համա- |Սիլիցիդներ |
| |ձուլվածքներ (13) |Ալյումինիդներ |
| | |Համաձուլված |
| | |ալումինիդներ (2) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Դժվարահալ մետաղներ և |Սիլիցիդներ |
| |համաձուլվածքներ (8) |Օքսիդներ |
|______________________|______________________|_______________________|
|D. Պլազմային |«Գերհամաձուլվածքներ» |MCrAlX (5) |
|փոշեպատում | |Փոփոխված ցիրկոնիում |
| | |(12) |
| | |Դրանց խառնուրդները (4) |
| | |Հղկելի/մաշելի նիկել |
| | |գրաֆիտ |
| | |Հղկելի/մաշելի նյութեր, |
| | |որոնք պարունակում են |
| | |Ni-Cr-Al |
| | |Հղկելի/մաշելի |
| | |Al-Si-պոլիէսթեր |
| | |Համաձուլված |
| | |ալյումինիդներ (2) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Ալյումինիումի |MCrAlX (5) |
| |համաձուլվածքներ (6) |Փոփոխված ցիրկոնիում |
| | |(12) |
| | |Սիլիցիդներ |
| | |Դրանց խառնուրդները (4) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Դժվարահալ մետաղներ և |Ալյումինիդներ |
| |համաձուլվածքներ (8) |Սիլիցիդներ |
| | |Կարբիդներ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Չժանգոտվող/կոռոզիա- |MCrAlX (5) |
| |դիմացկուն պողպատ (7) |Փոփոխված ցիրկոնիում |
| | |(12) |
| | |Սիլիցիդներ |
| | |Դրանց խառնուրդները (4) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տիտանիումի |Կարբիդներ |
| |համաձուլվածքներ (13) |Ալյումինիդներ |
| | |Սիլիցիդներ |
| | |Համաձուլված |
| | |ալյումինիդներ (2) |
| | |Հղկելի/մաշելի նիկել |
| | |գրաֆիտ |
| | |Հղկելի/մաշելի նյութեր, |
| | |որոնք պարունակում են |
| | |Ni-Cr-Al |
| | |Հղկելի/մաշելի |
| | |Al-Si-պոլիեսթեր |
|______________________|______________________|_______________________|
|E. Սուսպենզիա / |Դժվարահալ մետաղներ և |Հալված սիլիցիդներ |
|ապարախյուսի/շլամային |համաձուլվածքներ (8) |Հալված ալյումինիդներ |
|ծածկույթապատում | |բացի ջերմադիմացկուն |
| | |տարրերից |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Ածխածին-ածխածին, |Սիլիցիդներ |
| |կերամիկա և մետաղական |Կարբիդներ |
| |«մատրիցա» |Դրանց խառնուրդները (4) |
| |«կոմպոզիտներ» | |
|______________________|______________________|_______________________|
|F. Մետաղական փոշեցրման|«Գերհամաձուլվածքներ» |Համաձուլված սիլիցիդներ |
|միջոցով | |Համաձուլված |
|ծածկույթապատում | |ալյումինիդներ (2) |
| | |Ազնիվ մետաղների փոխված |
| | |ալյումինիդներ (3) |
| | |MCrAlX (5) |
| | |Փոփոխված ցիրկոնիում |
| | |(12) |
| | |Պլատինում |
| | |Դրանց խառնուրդները (4) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Կերամիկաներ և |Սիլիցիդներ |
| |լայնացման փոքր |Պլատինում |
| |գործակցով ապակիներ |Դրանց խառնուրդները (4) |
| |(14) |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| | |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տիտանիումի համա- |Բորիդներ |
| |ձուլվածքներ (13) |Նիտրիդներ |
| | |Օքսիդներ |
| | |Սիլիցիդներ |
| | |Ալյումինիդներ |
| | |Համաձուլված |
| | |ալյումինիդներ (2) |
| | |Կարբիդներ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Ածխածին-ածխածին, |Սիլիցիդներ |
| |Կերամիկական և |Կարբիդներ |
| |մետաղական «մատրիցա» |Դժվարահալ մետաղներ |
| |«կոմպոզիտներ» |Դրանց խառնուրդները (4) |
| | |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| | |Բորի նիտրիդ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մետաղակերամիկական |Սիլիցիումի կարբիդ (18) |
| |վոլֆրամի կարբիդ (16), |Կարբիդներ |
| | |Վոլֆրամ |
| | |Դրանց խառնուրդները (4) |
| | |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| | |Բորի նիտրիդ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մոլիբդեն և մոլիբդենի |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |համաձուլվածքները | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Բերիլիում և |Բորիդներ |
| |բերիլիումի |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |համաձուլվածքները |Բերիլիում |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տվիչային պատուհանների |Դիէլեկտրիկ շերտեր (15) |
| |նյութեր (9) |Ալմաստանման ածխածին |
| | |(17) |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Դժվարահալ մետաղներ և |Ալյումինիդներ |
| |համաձուլվածքներ (8) |Սիլիցիդներ |
| | |Օքսիդներ |
| | |Կարբիդներ |
|______________________|______________________|_______________________|
|G. Իոնային իմպլանտացիա|Բարձր ջերմադիմացկուն |Քրոմ տանտալումի կամ |
| |պողպատներ |նիոբիումի |
| | |(Կոլումբիումի) |
| | |հավելումներ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Տիտանիումի համա- |Բորիդներ |
| |ձուլվածքներ (13) |Նիտրիդներ |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Բերիլիում և |Բորիդներ |
| |բերիլիումի | |
| |համաձուլվածքներ | |
|______________________|______________________|_______________________|
| |Մետաղակերամիկական |Կարբիդների |
| |վոլֆրամի կարբիդ (16) |Նիտրիդներ |
._____________________________________________________________________.
ԾԱԾԿՈՒՅԹԱՊԱՏՄԱՆ ՏԵԽՆՈԼՈԳԻԱՆԵՐԻ ԱՂՅՈՒՍԱԿ ԾԱՆՈԹԱԳՐՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ
1. «Ծածկույթապատման գործընթաց» արտահայտությունը ներառում է ինչպես առաջին սկզբնական ծածկույթապատումը, այնպես էլ արդեն եղած ծածկույթի թերությունների վերացումը և թարմացումը:
2. «Ծածկույթապատում ալյումինիդային համաձուլվածքներով» արտահայտությունը ներառում է մեկանգամյա կամ բազմաքայլ/ բազմաշերտ ծածկույթապատումներ, որոնց ընթացքում ծածկույթի տարրը կամ տարրերը նստեցվում են կամ մինչև ալյումինիդային ծածկույթապատումը կամ ալյումինիդային ծածկույթապտման ընթացքում, անգամ եթե այդ տարրերով ծածկույթները նստեցվել են ծածկույթապատման այլ տեխնիկական գործընթացով: Սակայն, այն չի ներառում փաթեթային ցեմենտավորման միաքայլ գործընթացի բազմակի օգտագործումը` ալյումինիդային համաձուլված ծածկույթային շերտեր ստանալու համար:
3. «Ծածկույթապատում ազնիվ մետաղների ձևափոխված ալյումինիդներով» արտահայտությունը ներառում է բազմաքայլ ծածկույթապատում, որտեղ ազնիվ մետաղը կամ ազնիվ մետաղները նստեցվում են սուբստրատի վրա մեկ ուրիշ ծածկույթապատման գործընթացով մինչև ալյումինիդային ծածկույթապատման մեթոդի կիրառումը:
4. «Դրանց խառնուրդները» արտահայտությունը ներառում է ներծծված նյութը, հավասարակշռված բաղադրանյութերը, համատեղ-ծածկույթները և բազմաշերտ ծածկույթները, և ստացվում են աղյուսակում հատկորոշված մեկ կամ մի քանի ծածկույթապատման գործընթացներով:
5. «MCrAlX» արտահայտությունը վերաբերում ծածկույթապատման համաձուլվածքին, որտեղ M-ը հավասար է կոբալտ, երկաթ, նիկել կամ դրանց համադրություններին, և X-ը հավասար է հաֆնիում, իտրիում, սիլիցիում, տանտալ` ցանկացած քանակությամբ, կամ այլ հատուկ ավելացված հավելանյութերի, որոնց պարունակությունը ըստ կշռի գերազանցում է 0,01% տարբեր համամասնություններով և համադրություններով, բացի.
a. CoCrAlY - ծածկույթներից, որոնք պարունակում են 22%-ից պակաս ըստ կշռի քրոմ, 7%-ից պակաս ըստ կշռի ալյումին և 2%-ից պակաս ըստ կշռի իտրիում;
b. CoCrAlY - ծածկույթներից, որոնք պարունակում են 22-24% ըստ կշռի քրոմ, 10-12% ըստ կշռի ալյումին և 0,5-0,7% ըստ կշռի իտրիում; կամ
c. NiCrAlY - ծածկույթներից, որոնք պարունակում են 21-23% ըստ կշռի քրոմ, 10-12% ըստ կշռի ալյումին և 0,9-1,1% ըստ կշռի իտրիում:
6. «Ալյումինի համաձուլվածքներ» արտահայտությունը վերաբերում է այն համաձուլվածքներին, որոնց` խզման նկատմամբ ամրության սահմանային արժեքը հավասար է կամ գերազանցում է 190 ՄՊա` չափված 293K (20oC) ջերմաստիճանում:
7. «Կոռոզիադիմացկուն պողպատ» արտահայտությունը վերաբերում է Երկաթի և պողպատի ամերիկյան ինստիտուտի (American Iron and Steel Institute (AISI)) 300 ստանդարտին կամ համարժեք ազգային ստանդարտով պողպատներին:
8. «Դժվարահալ մետաղներ և համաձուլվածքներ» արտահայտությունը ներառում է հետևյալ մետաղները և դրանց համաձուլվածքները` նիոբիում, (կոլումբիում), մոլիբդեն, վոլֆրամ և տանտալ:
9. «Տվիչների պատուհանների նյութերը» հետևյալներն են` ալյումին, սիլիցիում, գերմանիում, ցինկի սուլֆիդ, ցինկի սելենիդ, գալիումի արսենիդ, ալմաստ, գալիումի ֆոսֆիդ, շափյուղա, և հետևյալ մետաղական հալիդները. տվիչների պատուհանների նյութեր, որոնք ունեն 40 մմ-ից ավելի մեծ տրամագծով ցիրկոնիում ֆտորիդ և հաֆնիում ֆտորիդ:
10. Կատեգորիա 2-ը չի ներառում «տեխնոլոգիա» պինդ աերոդինամիկ թևերի միաքայլ փաթեթային ցեմենտավորման համար:
11. «Պոլիմերները» ներառում են. պոլիիմիդ, պոլիեթեր, պոլիսուլֆիդ, պոլիկարբոնատներ և պոլիուրետաններ:
12. «Ձևափոխված ցիրկոնիում» վերաբերում է այլ մետաղների օքսիդների հավելանյութերին (օրինակ կալցիումային, մագնեզիումային, իտրիումային, հաֆնիումային, հազվագյուտ հողերի օքսիդներին) խառնված ցիրկոնիումի մեջ` որոշակի բյուրեղագրաֆիկական ֆազերի և ֆազային կոմպոզիտների կայունացման համար: Ջերմային պաշտպանիչ ծածկույթները պատրաստված զիրկոնիումից, ձևափոխված կալցիումով կամ մագնեզիումով խառնման կամ միաձուլման միջոցով, չեն վերահսկվում:
13. «Տիտանի համաձուլվածքները» վերաբերում է միայն օդատիեզերական նպատակների համար օգտագործվող համաձուլվածքներին, որոնց խզման նկատմամբ ամրության սահմանային արժեքը հավասար է կամ գերազանցում է 900 ՄՊա` չափված 293K (20oC) ջերմաստիճանում:
14. «Լայնացման ցածր փոքր գործակից ունեցող ապակիները» վերաբերում է այն ապակիներին, որոնք ունեն 1x10(-)7 K-1 կամ դրանից փոքր ջերմաստիճանային լայնացման գործակից` չափված 293K (20oC) ջերմաստիճանում:
15. «Դիէլեկտրիկ շերտերը» այն բազմաշերտ ծածկույթապատման նյութերն են, որոնք կազմված են մեկուսացնող նյութերի բազմակի շերտերից, որոնցում տարբեր ռեֆրակտիվ ինդեքսներով նյութերից կազմված կառուցվածքի ինտերֆերենցային հատկություններն օգտագործվում են տարբեր ընդգրկույթային ալիքների անդրադարձի, փոխանցման կամ կլանման համար: Դիէլեկտիկ շերտերը վերաբերում են չորս և ավելի դիէլեկտրիկ շերտերին կամ դիելեկտրիկ/մետաղական «կոմպոզիտային» շերտերին:
16. «Ցեմենտավորված վոլֆրամի կարբիդը» չի ներառում կտրման և ձևակաղապարման գործիքների համար կիրառվող նյութերը, որոնք կազմված են վոլֆրամի կարբիդից/(կոբալտ, նիկել), տիտանի կարբիդից/(կոբալտ, նիկել), քրոմի կարբիդից/(նիկել-քրոմ) և քրոմի կարբիդից/նիկել:
17. «Տեխնոլոգիան», որը կիրառվում է հետևյալ սուբստրատներից որևէ մեկի վրա ալմաստանման ածխածնով ծածկույթապատման համար, չի վերահսկվում.
մագնիսական սկավառակների դրայվերներ և գլխիկներ, սարքավորում մեկանգամյա օգտագործման ապրանքների արտադրության համար, ծորակների փականներ, բարձրախոսների ձայնային (ակուստիկական) դիաֆրագմեր, ավտոմեքենայի շարժիչների մասեր, կտրող գործիքներ, անցքահատող-մամլող մամլահատեր, գրասենյակային ավտոմատացված սարքավորումներ, խոսափողեր կամ բժշկական սարքավորումներ կամ դրոշմաձևեր, պլաստիկ նյութերի մամլման կամ դրոշմաձևման համար, որոնք պատրաստված են 5%-ից պակաս բերիլիում պարունակող համաձուլվածքներից:
18. «Սիլիցիումի կարբիդը» չի ներառում կտրող և դրոշմամամլող գործիքների նյութերը:
19. Կերամիկական սուբստրատները, ինչպիսիք նշված են այս կետում, չեն ներառում այն կերամիկական նյութերը, որոնք պարունակում են 5% ըստ կշռի կամ ավելի շատ կավահող կամ ցեմենտ, թե որպես ինքնուրույն բաղադրատարրեր, թե համակցությունների մեջ:
ԾԱԾԿՈՒՅԹԱՊԱՏՄԱՆ ՏԵԽՆՈԼՈԳԻԱՆԵՐԻ ԱՂՅՈՒՍԱԿ ՏԵԽՆԻԿԱԿԱՆ ԾԱՆՈԹԱԳՐՈՒԹՅՈՒՆ
Աղյուսակի 1-ին սյունակում հատկորոշված գործընթացները.
a. Քիմիական գոլորշիով գազաֆազային ծածկույթապատումը (CVD) վերին շերտով ծածկույթապատում է կամ մակերևույթի ձևափոխման ծածկույթապատման գործընթաց, որտեղ մետաղ, համաձուլվածք, «կոմպոզիտ», դիէլեկտրիկ կամ կերամիկա է նստեցվում տաքացված սուբստրատի վրա: Գազային ռեակտիվները անջատվում են կամ միակցվում սուբստրատի շուրջը արդյունքում հանգեցնելով ցանկալի նյութի, համաձուլվածքի կամ բաղադրյալ նյութի նստեցմանը սուբստրատի վրա: Քիմիական ռեակցիայի այս գործընթացի համար էներգիայի աղբյուր կարող է լինել տաքացված սուբստրատի տաքությունը, անբոց այրվող պլազման, կամ «լազերային» ճառագայթումը:
Հ.Ծ.1. Քիմիական գոլորշիով գազաֆազային ծածկույթապատումը ներառում է հետևյալ գործընթացները. ուղղորդված գազային հոսքով փաթեթից դուրս ծածկույթապատումը, պուլսային փոշեցրմամբ քիմիական գոլորշիով գազաֆազային ծածկույթապատումը, կառավարվող միջուկային տրոհմամբ ջերմային ծածկույթապատումը, պլազմային ուժեղացումով կամ պլազմային օժանդակությամբ քիմիական գոլորշու գազաֆազային ծածկույթապատումը:
Հ.Ծ.2. Փաթեթ նշանակում է սուբստրատ` ընկղմված մի փոշե խառնորդի մեջ:
Հ.Ծ.3. Փաթեթից դուրս գործընթացում օգտագործվող գազային ռեակտանտները արտադրվում են օգտագործելով նույն հիմնական ռեակցիաները և պարամետրերը, ինչ օգտագործվում են փաթեթային ցեմենտավորման գործընթացում, բացի այն դեպքից, երբ ծածկույթապատման ենթակա սուբստրատը շփման մեջ չի մտնում փոշե խառնուրդի հետ:
b. Ջերմային-գոլորշիացմամբ ֆիզիկական գազաֆազային ծածկույթապատումը (TE-PVD). արտաքին ծածկույթապատման գործընթաց է, որն իրականացվում է 0.1 Պա-ից ցածր ճնշումով վակուումի մեջ, որտեղ ջերմային էներգիայի աղբյուր է օգտագործվում ծածկույթապատող նյութը գոլորշիացմամբ չորացնելու համար: Այս գործընթացը արդյունքում հանգեցնում է գոլորշիացած նյութի մասնիկների խտացմանը կամ նստեցմանը` համապատասխանաբար դիրքավորված սուբստրատների վրա:
Ծածկույթապատման գործընթացի ընթացքում գազերի ավելացումը վակուումային խցիկում բարդ ծածկույթային շերտեր սինթեզելու համար գործընթացի սովորական տարբերակ է:
Իոնային կամ էլեկտրոնային ճառագայթների կամ պլազմայի օգտագործումը` ծածկույթապատման ակտիվացման կամ հեշտացման համար նույնպես այս տեխնոլոգիայի տարածված տարբերակ է: Մոնիտորների օգտագործումը` գործընթացի ընթացքում օպտիկական բնութագրերի կամ ծածկույթի հաստության չափման համար, կարող է լինել տվյալ գործընթացին բնորոշ հատկություն:
Ջերմային գոլորշիացմամբ ֆիզիկական գազաֆազային ծածկույթապատման հատուկ գործընթացները (TE-PVD).
1. Էլեկտրոնային ճառագայթով ծածկույթապատումը (EB-PVD) Էլեկտրոնային ճառագայթ է օգտագործում ծածկույթաշերտը կազմող նյութը տաքացնելու և գոլորշիացնելու համար.
2. Իոնա-դիմադրողական տաքացման միջոցով ֆիզիկական գազաֆազային ծածկույթապատումը (PVD) օգտագործում է էլեկտրականորեն դիմակայուն ջերմային աղբյուրները հարվածող իոնային փնջերի հետ միասին` գոլորշիացվող ծածկույթապատման նյութի վերահսկելի և միատարր հոսք առաջացնելու նպատակով.
3. «Լազերային» գոլորշիացումն օգտագործում է կամ իմպուլսային կամ անընդհատ ալիքով «լազերային» ճառագայթներ` ծածկույթապատման նյութը գոլորշիացնելու համար:
4. Կատոդա-աղեղային պարպումով ծածկույթապատումը օգտագործում է այն նյութի ծախսվող կատոդը, որը ծածկույթը ձևավորում է մակերևույթի հետ հողակցված պարպիչի (տրիգերի) վայրկյանական շփումով կատարված աղեղային պարպումով: Աղեղային պարպման վերահսկվող շարժումը քայքայում է կատոդի մակերեսը` ստեղծելով ուժեղ իոնացված պլազմա: Անոդը կամ կարող է լինել կոնաձև որևէ մեկուսիչի միջով միացած կատոդի ծայրամասին, կամ հենց խցիկը: Տեսադաշտից դուրս գտնվող ծածկույթապատման համար օգտագործվում է սուբստրատի դիրքի տեղաշարժը:
Հ.Ծ. Այս սահմանումը չի ներառում պատահական կատոդային աղեղով ծածկույթապատումը, չտեղաշարժված սուբստրատների վրա:
5. Իոնային ծածկույթապատումը ընդհանուր Ջերմային-գոլորշիացմամբ ֆիզիկական գազաֆազային ծածկույթապատման (TE-PVD) հատուկ տարբերակն է, որում պլազմային կամ իոնային աղբյուր է օգտագործվում է ծածկույթների նյութի իոնացման համար, և հակառակ տեղաշարժ է կիրառվում սուբստրատի նկատմամբ` պլազմայից ծածկույթի բաղադրամասերի արտազատումը հեշտացնելու համար: Ռեակտիվ նյութերի կիրառումը, պինդ նյութերի գոլորշիացումը գործընթացի խցիկում, և մոնիտորների օգտագործումը` գործողության ընթացքում օպտիկական բնութագրերի և ծածկույթի հաստության չափագրման համար այս գործընթացի սովորական տարբերակներ են:
c. Պաթեթային ցեմենտավորումը մակերևույթի ձևափոխման ծածկույթապատման կամ հավելյալ ծածկույթապատման գործընթացն է, որի ժամանակ սուբստրատը ընկղմվում է փոշե խառնուրդի (փաթեթի) մեջ, որը կազմված է.
1. Մետաղական փոշիներից, որոնք պետք է օգտագործվեն ծածկույթապատման համար (սովորաբար` ալյումին, քրոմ, սիլիցիում կամ դրանց համակցությունները),
2. Ակտիվարարից (սովորաբար հալիդային աղ); և
3. Իներտ փոշուց, ավելի հաճախ` ալյումին:
Սուբստրատը և փոշե խառնուրդը գտնվում են թորանոթի մեջ, որը տաքացվում է 1030K (757oC)-ից մինչև 1375K (1102oC) ջերմաստիճան այնքան ժամանակ, մինչև ծածկույթապատումը կատարվի:
d. Պլազմային փոշեպատումը արտաքին ծածկույթապատման գործընթաց է, որի ժամանակ օգտագործվում է փոշեմուղ թնդանոթ (փոշեցրման շթամուղ), որը արատդրում և կառավարում է պլազման, ընդունում է փոշին կամ ծածկույթապատող նյութերը, հալեցնում է դրանք և ուղղում սուբստրատի վրա, որտեղ ձևավորվում է ամբողջականորեն միակցված ծածկույթը: Պլազմային փոշեպատումը իրականացվում է կամ պլազմայի ցածր ճնշումով փոշեցրման կամ պլազմայի բարձր արագությամբ փոշեցրման միջոցով:
Հ.Ծ. 1. Ցածր ճնշում նշանակում է մթնոլորտային ճնշումից ցածր:
Հ.Ծ 2. Բարձր արագությունը վերաբերում է փոշեպատման շթամուղից ելնող գազի արագությանը 750 մ/վրկ` հաշվարկված 293K (20oC) ջերմաստիճանի և 0,1 ՄՊա ճնշման պայմաններում:
e. Սուսպենզիայի / ապարախյուսի /շլամային ծածկույթապատումը մակերևույթի ձևափոխման ծածկույթապատման կամ արտաքին ծածկույթապատման գործընթաց է, երբ մետաղական կամ կերամիկական փոշին օրգանական կապակցող նյութի հետ միասին սուսպենզավորվում է հեղուկի մեջ և կիրառվում սուբստրատի մակերևույթի վրա փոշեցրման, ընկղման կամ ներկման միջոցով, որին հետևում է օդային կամ վառարանային չորացումը և ջերմամշակումը` ծածկույթի անհրաժեշտ հատկություններին հասնելու համար:
f. Մետաղական փոշեցրման միջոցով ծածկույթապատումը արտաքին ծածկույթապատման գործընթաց է, որը հիմնված է ակնթարթային փոշեցրման երևույթի վրա, երբ դրական լիցք ունեցող իոններն արագացում են ստանում էլեկտրական դաշտի միջոցով դեպի թիրախային (ծածկույթապատվող նյութի) մակերևույթը: Իոնների հարվածներից առաջացող կինետիկ էներգիան բավարար է, որպեսզի թիրախային մակերևույթի ատոմներն առանձնանան և նստեն համապատասխանաբար դիրքավորված սուբստրատի մակերևույթի վրա:
Հ.Ծ. 1. Աղյուսակը վերաբերում է միայն տրիոդային, մագնետրոնային կամ ռեակտիվ փոշեցրման եղանակով ծածկույթապատմանը, որոնք կիրառվում են ծածկույթի կպչունությունը ուժեղացնելու և ծածկույթապատման արագությունը բարձրացնելու նպատակով, ինչպես նաև ռադիոհաճախականությամբ ուժեղացված ծածկույթի փոշեցրման միջոցով, որը կիրառվում է ոչ-մետաղական ծածկույթապատող նյութերի չորացման գոլորշիացումը հեշտացնելու համար:
Հ.Ծ. 2. Ցածր էներգետիկ իոնային ճառագայթները (5 ԿէՎ-ից պակաս) կարող են օգտագործվել ծածկույթապատման գործընթացի ակտիվացման համար:
g. Իոնային իմպլանտացիան պատրաստվածքի ձևափոխված մակերևույթի ծածկույթապատման գործընթաց է, որի ընթացքում` ծածկույթային համաձուլման նյութը իոնացվում է, արագացվում պոտենցիալ գրադիենտով, և իմպլանտվում սուբստրատի մակերևույթի հատվածի վրա: Դա ներառում է գործընթացներ, որոնցում իոնային իմպլանտացիա է կատարվում միաժամանակ էլեկտրոնային ճառագայթի ֆիզիկական գազաֆազային ծածկույթապատման կամ մետաղական փոշեցրման միջոցով ծածկույթապատման հետ միասին:
ՀԱՎԵԼՎԱԾ I (ՄԱՍ V - Կատեգորիա 3)
ԿԱՏԵԳՈՐԻԱ 3 - ԷԼԵԿՏՐՈՆԻԿԱ
3A Համակարգեր, սարքավորումներ և բաղադրամասեր
Ծանոթագրություն 1.
3A001 կամ 3A002 կետերում նկարագրված սարքավորումների և բաղադրամասերի վերահսկման կարգավիճակը, բացի 3A001.a.3.-ից մինչև 3A001.a.10., 3A001.a.12 կամ 3A001.a.14 կետերում նկարագրվածներից, որոնք հատուկ նախագծված են կամ ունեն միևնույն գործառույթային բնութագրերը, ինչ այլ սարքավորումներ, որոշվում է մյուս սարքավորումների վերահսկման կարգավիճակով:
Ծանոթագրություն 2.
3A001.a.3.-ից մինչև 3A001.a.9., 3A001.a.12 կամ 3A001.a.14 կետերում նկարագրված ինտեգրալային սխեմաների վերահսկման կարգավիճակը, որոնց ծրագրերը չեն կարող փոփոխվել, կամ որոնք նախագծված են մեկ ուրիշ սարքավորման համար կոնկրետ գործառույթներ կատարելու նպատակով, որոշվում է այդ մյուս սարքավորումների վերահսկման կարգավիճակով:
Հ.Ծ. Այն դեպքում, երբ արտադրողը կամ դիմողը չեն կարողանում որոշել մյուս սարքավորումների վերահսկման կարգավիճակը, ապա ինտեգրալային սխեմաների վերահսկման կարգավիճակը որոշվում է այնպես, ինչպես նշված է 3A001.a.3.-ից մինչև 3A001.a.9., 3A001.a.12 և 3A001.a.14. կետերում:
3A001 Էլեկտրոնային բաղադրամասեր, ինչպիսիք են.
a. Ընդհանուր նշանակության ինտեգրալային միկրոսխեմաները, ինչպիսիք են.
Ծանոթագրություն 1.
Ինտեգրալային սխեմաների այն թիթեղների (պատրաստի կամ կիսապատրաստի) վերահսկման կարգավիճակը, որոնց վերագրված է որոշակի գործառույթ, գնահատվում է 3A001.a. կետում նշված պարամետրերով:
Ծանոթագրություն 2.
Ինտեգրալային սխեմաները ներառում են սխեմաների հետևյալ տեսակները.
- «Պինդ մարմնային ինտեգրալային սխեմաներ»;
- «Հիբրիդային ինտեգրալային սխեմաներ»;
- «Բազմաբյուրեղային ինտեգրալային սխեմաներ»;
- «Թաղանթային ինտեգրալային սխեմաներ», ներառյալ շափյուղայի վրա սիլիցիումով սարքված ինտեգրալային սխեմաներ;
- «Օպտիկական ինտեգրալային սխեմաներ»;
- «Եռատարածաչափ» ինտեգրալային սխեմաներ;
- «Մոնոլիթիկ կարճալիքային» ինտեգրալային սխեմաներ («MMICs»):
1. Ինտեգրալային սխեմաները, որոնք նախագծված են կամ որակավորվում են որպես ճառագայթահարման նկատմամբ կայուն և ընդունակ են դիմանալ հետևյալներից որևէ մէկին.
a. 5x10(3) գրեյ Gy {իոնացնող ճառագայթման կլանման դոզա} (սիլիցիում) կամ ավելի բարձր;
b. 5x10(6) գրեյ Gy {իոնացնող ճառագայթման կլանման դոզա} (սիլիցիում)/վայրկյան կամ ավելի բարձր; կամ
c. Նեյտրոնային հոսք (համարժեք 1 Մէվ-ի) 5 x 10(13) նեյտրոն/սմ2 կամ ավելի բարձր սիլիցիումի վրա, կամ դրա համարժեքը այլ նյութերի վրա;
Ծանոթագրություն. 3A001.a.1.c. կետը չի վերահսկում մետաղական մեկուսիչ կիսահաղորդիչները (MIS):
2. «Միկրոպրոցեսորային միկրոսխեմաները», «միկրո համակարգչային միկրոսխեմաները», միկրովերահսկիչ միկրոսխեմաները, հիշողության ինտեգրալային սխեմաները, որոնք արտադրվել են կոմպոզիտային կիսահաղորդիչներից, անալոգա-թվային փոխակերպիչները, ինտեգրալային սխեմաները, որոնք պարունակում են անալոգա-թվային փոխակերպիչներ և կուտակում կամ մշակում են թվայնացված տվյալներ, թվայինից-անալոգային փոխակերպիչները, էլեկտրա-օպտիկական կամ «օպտիկական ինտեգրալային սխեմաները», որոնք նախագծված են «ազդանշանների մշակման» համար, օգտագործողի կողմից ծրագրավորելի տրամաբանական սարքերը, կոնկրետ օգտագործողի համար ծրագրավորված ինտեգրալային սխեմաները, որոնց կամ գործառույթն է անհայտ կամ անհայտ է այն սարքավորման վերահսկման կարգավիճակը, որի մեջ այդ ինտեգրալային սխեման պետք է օգտագործվի, արագ փոխակերպման Ֆուրիեի ալգորիթմի (FFT) պրոցեսորները, Էլեկտրականորեն ջնջելի, ծրագրավորելի, անընդհատ հիշող սարքերը (Electrical Erasable Programmable Read-Only Memories (EEPROMs), ֆլեշ հիշողությունները, անընդհատ գործող օպերատիվ հիշողության սարքերը (Static Random-Access Memories (SRAMs), կամ մագնիսական օպերատիվ հիշողության սարքերը (Magnetic Random Access Memories (MRAMs), որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.
a. Կարող են աշխատել 398K (125oC)-ից բարձր ջերմաստիճանում;
b. Կարող են աշխատել 218K (-55oC) -ից ցածր ջերմաստիճանում;
c. Կարող են աշխատել 218K (-55oC)-ից մինչև 398K (125oC) ջերմաստիճանների պայմաններում:
Ծանոթագրություն. 3A001.a.2. կետը չի վերահսկում քաղաքացիական նշանակության ավտոմեքենաների կամ երկաթուղային գնացքների համար նախատեսված ինտեգրալային սխեմաները:
3. «Միկրոպրոցեսորային միկրոսխեմաները», «միկրոհամակարգչային միկրոսխեմաները» և միկրովերահսկիչ միկրոսխեմաները, որոնք արտադրված են կոմպոզիտային կիսահաղորդիչներից և աշխատում են 40 ՄՀց գերազանցող տակտային հաճախականությամբ:
Ծանոթագրություն. 3A001.a.3. կետը ներառում է ազդանշանի մշակման թվային պրոցեսորները, թվային մատրիցային պրոցեսորները և թվային համապրոցեսորները:
4. Չի կիրառվում:
5. Անալոգա-թվային (ԱԹՓ) և թվայինից-անալոգի (ԹԱՓ) փոխակերպիչների ինտեգրալային սխեմաները, ինչպիսիք են.
a. Անալոգա-թվային փոխակերպիչները, որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.
Հ.Ծ. ՏԵ՛Ս ՆԱԵՎ 3A101:
1. 8 բիտ կամ ավելի մեծ, բայց 10 բիտից պակաս թողունակություն, երբ ելքային կարողությունը մեծ է մեկ վայրկյանում 1,3 գիգա նմուշից (GSPS):
2. 10 բիտ կամ ավելի բարձր, բայց 12 բիտից պակաս թողունակություն, երբ ելքային կարողությունը մեծ է մեկ վայրկյանում 600 մեգա նմուշից (MSPS):
3. 12 բիտ կամ ավելի բարձր, բայց 14 բիտից ցածր թողունակություն, երբ ելքային կարողությունը մեծ է մեկ վայրկյանում 400 մեգա նմուշից (MSPS);
4. 14 բիտ կամ ավելի բարձր, բայց 16 բիտից ցածր թողունակություն, երբ ելքային կարողությունը մեծ է մեկ վայրկյանում 250 մեգա նմուշից (MSPS); կամ
5. 16 բիտ կամ ավելի բարձր թողունակություն, երբ ելքային կարողությունը մեծ է մեկ վայրկյանում 65 մեգա նմուշից (MSPS);
Հ.Ծ. Այն ինտեգրալային սխեմաների համար, որոնք պարունակում են անալոգա-թվային փոխակերպիչներ և կուտակում կամ մշակում են թվայնացված տվյալներ, տես 3A001.a.14 կետը:
Տեխնիկական ծանոթագրություններ
1. N բիտ թողունակությունը համապատասխանում է 2-րդ մակարդակի քվանտայնացմանը:
2. Ելքային բառում բիտերի թիվը հավասար է ԱԹՓ թողունակությանը:
3. Արտադրողականության աստիճանը փոխակերպիչի առավելագույն ելքային կարողությունն է, անկախ ճարտարապետությունից կամ հավելուրդության դիսկրետացումից:
4. «Բազմակի կապուղիներով ԱԹՓ-ների», ելքային կարողությունը չի ագրեգացվում և արտադրողականության աստիճանը հավասար է բոլոր առանձին կապուղիների առավելագույն ելքային կարողության աստիճանին:
5. «Մեկընդմիջված ԱԹՓ-ների» կամ «բազմակի կապուղիներով ԱԹՓ-ների» համար, որոնք հատկորոշվում են որպես մեկընդմիջված աշխատանքային ռեժիմ ունեցող, ելքային կարողությունները ագրեգացվում են և արտադրողականության աստիճանը հավասար է բոլոր ելքային կարողությունների առավելագույն համակցված ընդհանուր ելքային կարողության աստիճանին:
6. Վաճառողները կարող են նաև հղում անել արտադրողականության աստիճանին որպես դիսկրետացման արագություն, փոխակերպման արագություն կամ բացթողման արագություն: Այն հաճախ հատկորոշվում է մեգահերցերով (MHz), մեկ վայրկյան / մեգաբառերով կամ մեկ վայրկյան/ մեգանմուշներով (MSPS):
7. Արտադրողականության աստիճանի չափման նպատակով, մեկ նմուշը մեկ վայրկյանում համարժեք է մեկ Հերց կամ մեկ ելքային բառ մեկ վայրկյանում:
8. «Բազմակի կապուղիներով ԱԹՓ-ները» հատկորոշվում են որպես սարքեր, որոնք ինտեգրում են մեկից ավելի ԱԹՓ, և այնպես են նախագծված, որ յուրաքանչյուր ԱԹՓ ունենա իր առանձին անալոգային մուտքը:
9. «Մեկընդմիջված ԱԹՓ-ները» հատկորոշվում են որպես սարքեր, որոնք ունեն բազմակի ԱԹՓ հանգույցներ, որոնք դիսկրետացնում են միևնույն անալոգային մուտքը տարբեր ժամանակներում, այնպես, որ ելքերի ագրեգացման ժամանակ անալոգային մուտքը լինի արդյունավետորեն դիսկրետացված և փոխակերպված դիսկրետացման առավելագույն արագությամբ:
b. Թվայինից-անալոգային փոխակերպիչներ (ԹԱՓ), որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.
1. 10 բիտ կամ ավելի մեծ թողունակություն և «տվյալների թարմացման ճշգրտված հաճախականություն», որը ավելի մեծ է քան 3500 մեգա նմուշ/ մեկ վայրկյանում (MSPS); կամ
2. 12 բիտ կամ ավելի բարձր թողունակություն, և «տվյալների թարմացման ճշգրտված հաճախականությունը» ավելի մեծ է քան 1250 մեգա նմուշ/ մեկ վայրկյանում (MSPS) և ունի հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.
a. Հանգստացման տևողությունը պակաս է 9 նանո-վրկ-ից մինչև լրիվ չափի 0,024%-ը, մեկ լրիվ չափի քայլով; կամ
b. «Առանց պարազիտային բաղադրիչների դինամիկ տիրութը» (SFDR) ավելի մեծ է 68 դԲ-ից (կրող), երբ սինթեզվում է 100 ՄՀց լրիվ չափի անալոգային ազդանշան կամ 100 ՄՀց-ից ցածր հատկորոշված ամենաբարձր լրիվ չափի անալոգային ազդանշանի հաճախականությունը.
Տեխնիկական ծանոթագրություններ
1. «Առանց պարազիտային բաղադրիչների դինամիկ տիրույթը» (SFDR) սահմանվում է որպես ԹԱՓ մուտքի վրա կրող հաճախականության RMS արժեքի (առավելագույն ազդանշանի բաղադրիչի) և ելքի վրա հաջորդ ամենաուժեղ աղմուկի կամ հարմոնիկ խանգարման բաղադրիչի հարաբերակցությունը.
2. «Առանց պարազիտային բաղադրիչների դինամիկ տիրույթը» (SFDR) անմիջականորեն որոշվում է հատկորոշումների աղյուսակից կամ «Առանց պարազիտային բաղադրիչների դինամիկ տիրույթի» (SFDR) բնութագրերի և հաճախականության հետ համեմատության աղյուսակներից:
3. Ազդանշանը համարվում է լրիվ ուժով, երբ դրա ամպլիտուդը ավելի մեծ է -3 դԲ լրիվ չափից:
4. ԹԱՓ-երի համար «տվյալների թարմացման ճշգրտված հաճախականությունները».
a. Սովորական (ոչ-ինտերպոլացվող) ԹԱՓ-երի համար, տվյալների թարմացման ճշգրտված հաճախականությունը այն արագությունն է, որով թվային ազդանշանը փոխակերպվում է անալոգային ազդանշանի և ելքային անալոգային արժեքները փոխակերպվում են ԹԱՓ-ի միջոցով: Այն ԹԱՓ-երի համար, որտեղ ինտերպոլացման ռեժիմը կարող է շրջանցվել (մեկի ինտերպոլացման ֆակտոր), ԹԱՓ-ը պետք է դիտվի որպես սովորական (ոչ-ինտերպոլացվող) ԹԱՓ:
b. Ինտերպելացվող ԹԱՓ-երի համար (գերհավելուրդացնող/գերդիսկրետացնող ԹԱՓ-եր), «տվյալների թարմացման ճշգրտված հաճախականությունը» սահմանվում է որպես ԹԱՓ-ի թարմացման հաճախականությունը` բաժանած ամենափոքր ինտերպոլացվող ֆակտորի վրա: Ինտերպոլացնող ԹԱՓ-երի համար, «տվյալների թարմացման ճշգրտված հաճախականությունը» կարող է ունենալ տարբեր անվանումներ, այդ թվում.
- մուտքի տվյալների արագություն;
- մուտքի բառերի արագություն;
- մուտքի նմուշների արագություն;
- առավելագույն ընդհանուր մուտքային շարքի արագություն;
- առավելագույն ԹԱՓ տակտային արագություն` ԹԱՓ տակտային մուտքի համար:
6. Էլեկտրա-օպտիկական և «օպտիկական ինտեգրալային սխեմաներ», որոնք նախագծված են «ազդանշանների մշակման» համար, և ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.
a. Մեկ կամ մեկից ավելի ներքին «լազերային» դիոդ;
b. Մեկ կամ մեկից ավելի ներքին լուսազգայուն տարր, և
c. Օպտիկական ալեուղղորդիչներ:
7. Օգտագործողի կողմից ծրագրվող տրամաբանական սարքեր, որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.
a. Մի ելքանի թվային մուտք/ելքային իմպուլսների առավելագույն թիվը մեծ է 700-ից, կամ
b. Ընդհանուր «ագրեգացված միաուղղություն պիկային սերիական տվյալների ընդունման/թողարկման արագությունը» հավասար է կամ գերազանցում է 500 Գբ/վայրկյանում:
Ծանոթագրություն. 3A001.a.7. կետը ներառում է.
- Պարզ ծրագրավորելի տրամաբանական սարքերը (SPLD);
- Բարդ ծրագրավորելի տրամաբանական սարքերը (CPLD);
- Օգտագործողի կողմից ծրագրավորելի տրամաբանական մատրիցաները (FPGA);
- Օգտագործողի կողմից ծրագրավորելի ինտեգրալային տրամաբանական մատրիցաները (FPLA);
- Օգտագործողի կողմից ծրագրավորելի փոխադարձ կապերը (FPIC):
Հ.Ծ. Ինտեգրալային սխեմաների համար, որոնք ունեն օգտագործողի կողմից ծրագրավորելի տրամաբական սարքեր, որոնք համակցված են անալոգա-թվային փոխակերպիչի հետ տես 3A001.a.14. կետը:
----------------------------------------------------
ԻՐՏԵԿ - շարունակությունը հաջորդ մասերում