Սեղմել Esc փակելու համար:
ՀՀ-ԻՑ ԱՐՏԱՀԱՆՎՈՂ ԵՎ ՀՀ ՏԱՐԱԾՔՈՎ ՏԱՐԱՆ...
Քարտային տվյալներ

Տեսակ
Գործում է
Ընդունող մարմին
Ընդունման ամսաթիվ
Համար

Ստորագրման ամսաթիվ
ՈՒժի մեջ մտնելու ամսաթիվ
ՈՒժը կորցնելու ամսաթիվ
Ընդունման վայր
Սկզբնաղբյուր

Ժամանակագրական տարբերակ Փոփոխություն կատարող ակտ

Որոնում:
Բովանդակություն

Հղում իրավական ակտի ընտրված դրույթին X
irtek_logo

ՀՀ-ԻՑ ԱՐՏԱՀԱՆՎՈՂ ԵՎ ՀՀ ՏԱՐԱԾՔՈՎ ՏԱՐԱՆՑԻԿ ՓՈԽԱԴՐՎՈՂ ԵՐԿԱԿԻ ՆՇԱՆԱԿՈՒԹՅԱՆ` ՀՍԿՎՈՂ Ա ...

 

 

040.1785.201211

ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅԱՆ ԿԱՌԱՎԱՐՈՒԹՅՈՒՆ

ՈՐՈՇՈՒՄ

 

15 դեկտեմբերի 2011 թվականի N 1785-Ն

 

ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅՈՒՆԻՑ ԱՐՏԱՀԱՆՎՈՂ ԵՎ ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅԱՆ ՏԱՐԱԾՔՈՎ ՏԱՐԱՆՑԻԿ ՓՈԽԱԴՐՎՈՂ ԵՐԿԱԿԻ ՆՇԱՆԱԿՈՒԹՅԱՆ` ՀՍԿՎՈՂ ԱՊՐԱՆՔՆԵՐԻ, ԻՆՉՊԵՍ ՆԱԵՎ ՓՈԽԱՆՑՎՈՂ ԵՐԿԱԿԻ ՆՇԱՆԱԿՈՒԹՅԱՆ ՏԵՂԵԿԱՏՎՈՒԹՅԱՆ ԵՎ ՄՏԱՎՈՐ ԳՈՐԾՈՒՆԵՈՒԹՅԱՆ ԱՐԴՅՈՒՆՔՆԵՐԻ` ՀՍԿՎՈՂ ՈՉ ՆՅՈՒԹԱԿԱՆ ԱՐԺԵՔՆԵՐԻ ՑԱՆԿԵՐԸ ՀԱՍՏԱՏԵԼՈՒ ԵՎ ՀԱՅԱՍՏԱՆԻ ՀԱՆՐԱՊԵՏՈՒԹՅԱՆ ԿԱՌԱՎԱՐՈՒԹՅԱՆ 2007 ԹՎԱԿԱՆԻ ՀՈՒԼԻՍԻ 6-Ի N 822-Ն ՈՐՈՇՈՒՄՆ ՈՒԺԸ ԿՈՐՑՐԱԾ ՃԱՆԱՉԵԼՈՒ ՄԱՍԻՆ

(10-րդ մաս)

 

3A003 Սառեցման պրոցեսի ղեկավարման համակարգեր, որոնք օգտագործում են հեղուկի շրջանառության փակ կոնտուր, որտեղ դիելեկտրիկ հեղուկը փոշեցրվում է էլեկտրոնային բաղադրամասերի վրա, հատուկ նախագծված շիթամուղերի միջոցով, որոնք այնպես են նախագծված որպեսզի պահեն էլեկտրոնային սարքավորումները աշխատանքային ջերմաստիճանի տիրույթում, և դրանց համար հատուկ նախագծված բաղադրամասերը:

3A101 Էլեկտրոնային սարքավորումներ, սարքեր և բաղադրամասեր, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 3A001 կետում:

a. Անալոգաթվային փոխակերպիչներ, որոնք կարող են օգտագործվել «հրթիռներում», որոնք նախագծված են ծայրահեղ արտակարգ պայմաններում ռազմական օգտագործման հատկորոշումներին բավարարելու համար:

b. Արագացուցիչներ, որոնք կարող են տալ էլեկտրամագնիսական ճառագայթներ` արտադրված 2 ՄէՎ կամ ավելի ուժեղ արագացված էլեկտրոնների արգելակված ճառագայթման միջոցով, և համակարգեր, որոնք պարունակում են նման արագացուցիչներ:

 

Ծանոթագրություն. 3A101.b. կետով չեն վերահսկվում սարքավորումները, որոնք հատուկ նախագծված են բժշկական նպատակների համար:

 

3A102 «Ջերմային մարտկոցներ», որոնք նախագծված են կամ փոփոխված «հրթիռների» համար.

 

Տեխնիկական ծանոթագրություններ

1. 3A102 կետում «ջերմային մարտկոցները» մեկ անգամ օգտագործվող մարտկոցներ են, որոնք որպես էլեկտրոլիտ պարունակում են կարծր ոչ-հաղորդիչ, ոչ օրգանական աղ: Այդ մարտկոցները պարունակում են պիրոլիտիկ նյութ, որը հրկիզման դեպքում հալեցնում է էլկետրոլիտը և ակտիվացնում մարտկոցը:

2. 3A102 կետում «հրթիռ» նշանակում է լրիվ հրթիռային համակարգեր և անօդաչու օդային սարքերի համակարգեր, որոնք կարող են թռչել 300 կմ-ից ավելի մեծ հեռավորությամբ:

 

3A201 Էլեկտրոնային բաղադրիչներ, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 3A001 կետում, ինչպիսիք են.

a. Կոնդենսատորներ, որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.

1. a. 1.4 կՎոլտից ավելի մեծ լարում;

b. 10 Ջ-ից ավելի մեծ էներգատարողություն,

c. 0,5 միկրոֆարադից ավելի մեծ հաղորդականություն; և

d. 50 նՀ-ից պակաս հաջորդական ինդուկտիվություն; կամ

2. a. 750 Վոլտից ավելի մեծ լարում;

b. 0,25 մկֆարադից ավելի մեծ հաղորդականություն; և

c. 10 նՀ-ից պակաս հաջորդական ինդուկտիվություն:

b. Գերհաղորդիչ սոլենոիդային էլեկտրամագնիսներ, որոնք ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

1. կարող են ստեղծել 2 Տ-ից մեծ մագնիսական դաշտեր;

2. ներքին տրամագծի և երկարության հարաբերությունը 2-ից մեծ է;

3. ներքին տրամագիծը մեծ է 300 մմ-ից; և

4. Մագնիսական դաշտի համասեռությունը 1%-ից բարձր է` ներքին ծավալի 50%-ի սահմաններում:

 

Ծանոթագրություն. 3A201.b. կետով չեն վերահսկվում այն մագնիսները, որոնք հատուկ նախագծված են և արտահանվում են որպես միջուկային մագնիսական ռեզոնանսային բժշկական համակարգերի բաղադրիչներ: «Որպես մաս» արտահայտությունը անհրաժեշտաբար չի նշանակում ֆիզիկական մաս միևնույն ապրանքաքանակի մեջ; թույլատրելի են առանձին ապրանքաքանակներ տարբեր աղբյուրներից` պայմանով, որ արտահանման համապատասխան փաստաթղթերում հստակ նշվի, որ ապրանքաքանակները առաքվում են «որպես» պատկերման համակարգերի մասեր:

 

c. Իմպուլսային ռենտգենային գեներատորներ կամ իմպուլսային էլեկտրոնային արագացուցիչներ, որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.

1. a. Էլեկտրոնային արագացված պիկային էներգիան 500 կէՎոլտ կամ ավելի մեծ, բայց 25 ՄէՎոլտից պակաս; և

b. «Որակի ցուցանիշը» (K) 0,25 կամ ավելի; կամ

2. a. Էլեկտրոնների արագացված պիկային էներգիան 25 ՄէՎոլտ է կամ ավելի բարձր, և

b. Պիկային հզորությունը ավելի մեծ է քան 50 ՄՎատտ:

 

Ծանոթագրություն. 3A201.c. կետով չեն վերահսկվում այնպիսի արագացուցիչները, որոնք բաղկացուցիչ մաս են այն սարքավորումների համար, որոնք նախագծված չեն էլեկտրոնային փնջեր կամ ռենտգենային ճառագայթում ստանալու (օրինակ` էլեկտրոնային մանրադիտության) համար, ոչ էլ նախագծված են բժշկական նպատակների համար:

 

Տեխնիկական ծանոթագրություններ.

1. «Որակի ցուցանիշ» (K) թիվը որոշվում է ըստ հետևյալ բանաձևի.

K = 1.7 x 10(3) V(2.65) Q

որտեղ V-ն էլեկտրոնների պիկային էներգիան է` արտահայտված միլիոն էլեկտրոն վոլտերով:

 

Եթե արագացման ճառագայթի իմպուլսի տևողությունը ավելի փոքր է կամ հավասար է 1 մկվրկ, ապա Q-ն գումարային արագացված լիցքն է` արտահայտված կուլոններով: Եթե արագացուցիչի փնջի իմպուլսի տևողությունը հավասար է կամ ավելի մեծ է 1 մվրկ-ից, ապա Q առավելագույն արագացված լիցքն է 1 մկ վայրկյանի ընթացքում:

Q-ն հավասար է i-ի ինտեգրալին t-ի` նկատմամբ, 1 մկվրկ-ից պակաս փնջի իմպուլսի տևողության ընթացքում, (Q = idt), որտեղ i-ն փնջի հոսանքն է` արտահայտված ամպերներով, իսկ t-ն ժամանակն է` արտահայտված վայրկյաններով:

2. «Պիկային հզորությունը» = (վոլտերով արտահայտված պիկային պոտենցիալին) x (ամպերներով արտահայտված փնջի պիկային հոսանք):

3. Միկրոալիքային արագացուցիչ խոռոչների վրա հիմնված մեքենաներում փնջի իմպուլիսի տևողությունը հետևյալ երկու մեծություններից ամենափոքրն է. 1 մվրկ կամ փնջի խմբավորված իմպուլսի չափի տևողությունը, որը որոշվում է մեկ միկրոալիքային մոդուլյատորի իմպուլսի տևողությամբ:

4. Միկրոալիքային արագացուցիչ խոռոչների վրա հիմնված մեքենաներում փնջի պիկային հոսանքը հոսանքի միջին մեծությունն է` փնջի խմբավորված իմպուլսի տևողության ընթացքում:

 

3A225 Հաճախականության փոխակերպիչներ կամ գեներատորներ, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 0B001.b.13. կետում, կիրառելի են որպես փոփոխական կամ հաստատուն հաճախականության շարժիչային գեներատորներ, և ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

 

Հ.Ծ. 1. «Ծրագրային ապահովումը»` հատուկ նախագծված որևէ հաճախականություն փոխող կամ գեներացնող սարք ուժեղացնելու կամ դրա աշխատանքը բարելավելու համար 3A225 կետի պահանջները բավարարելու նպատակով հատկորոշված է 3D225 կետում:

 

Հ.Ծ. 2. «Տեխնոլոգիա» կոդերի կամ բանալիների տեսքով հատուկ նախագծված որևէ հաճախականություն փոխող կամ գեներացնող սարք ուժեղացնելու կամ դրա աշխատանքը բարելավելու համար 3A225 կետի պահանջները բավարարելու նպատակով հատկորոշված է 3E225 կետում:

a. բազմաֆազ ելք 40 Վոլտ/Ամպեր կամ ավելի մեծ հզորությամբ;

b. կարող է գործել 600 Հց կամ ավելի բարձր հաճախականությամբ; և

c. հաճախականության կարգավորումը ավելի լավն է (պակաս է) 0,2%ից;

 

Ծանոթագրություն. 3A225 կետը չի վերահսկում հաճախականության մարտկոցները կամ գեներատորները, եթե դրանք ունեն մեքենայական ապահովման, «ծրագրային ապահովման» կամ «տեխնոլոգիայի» սահմանափակումներ, որոնք դրանց կատարողականությունը սահմանափակում են ավելի պակաս մակարդակի վրա, քան հատկորոշված է վերը, պայմանով, եթե դրանք բավարարում են հետևյալ պահանջներին.

1. Դրանք պետք է վերադարձվեն արտադրողին բարելավումներ կատարելու կամ սահմանափակումները վերացնելու համար;

2. Դրանց պետք է հատուկ «ծրագրային ապահովում», ինչպես հատկորոշված է 3D225 կետում, կատարողականությունը բարձրացնելու կամ սահմանափակումները հանելու համար` 3A225 կետի հատկորոշումներին համապատասխանելու նպատակով; կամ

3. Դրանց պետք է հատուկ «տեխնոլոգիա», ինչպես հատկորոշված է 3E225 կետում, կատարողականությունը բարձրացնելու կամ սահմանափակումները հանելու համար` 3A225 կետի հատկորոշումներին համապատասխանելու նպատակով:

 

Տեխնիկական ծանոթագրություններ

1. 3A225 կետում հիշատակվող հաճախականություն փոխող սարքերը հայտնի են նաև որպես կոնվերտորներ կամ ինվերտորներ:

2. 3A225 կետում հատկորոշվող հաճախականություն փոխող սարքերը կարող են պիտակավորվել որպես գեներատորներ, Էլեկտրոնային թեստային սարքավորում, AC հոսանքի աղբյուրներ, փոփոխական արագությամբ շարժիչների քարշակներ, փոփոխական արագության քարշակներ (VSD), փոփոխական հաճախականության քարշակներ (VFD), վերահսկելի հաճախականության քարշակներ (AFD), կամ վերահսկելի արագության քարշակներ (ASD):

3A226 Բարձր հզորությամբ հաստատուն հոսանքի աղբյուրներ, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 08001.j. 6. կետում, որոնք ունեն հետևյալ երկու բնութագրերը.

a. Ընդունակ են անընդհատ աշխատել 8 ժամից ավելի տևողությամբ` 100 Վոլտից բարձր լարման և 500 Ա կամ ավելի բարձր ելքային հոսանքի պայմաններում; և

b. Հոսանքի կամ լարման կայունությունը ավելի բարձր է 0,1%-ից 8-ժամվա ընթացքում:

3A227 Հաստատուն հոսանքի բարձր լարումով աղբյուրներ, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 0B001.j.5. կետում, որոնք ունեն հետևյալ երկու բնութագրերը.

a. Ընդունակ են անընդհատ ապահովել 20 կիլո Վոլտ կամ ավելի բարձր լարում` 8 ժամվա ընթացքում 1 Ա կամ ավելի բարձր ելքային հոսանքով; և

b. Հոսանքի կամ լարման կայունությունը 0,1%-ից բարձր է 8 ժամ աշխատանքի ընթացքում:

3A228 Միացնող/անջատող սարքեր, ինչպիսիք են.

a. Սառը կատոդով լամպերը, գազային և ոչ գազային, որոնք նույնատեսակ են գործում կայծային միջակայքում և ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

1. Պարունակում են երեք կամ ավելի մեծ էլեկտրոդներ;

2. Անոդի պիկային լարումը 2,5 կիլո Վոլտ է կամ ավելի բարձր;

3. Անոդի պիկային հոսանքը 100 Ա է կամ ավելի բարձր; և

4. Անոդային հապաղումը 10 մվրկ է կամ պակաս:

 

Ծանոթագրություն. 3A228 կետը ներառում է գազային կրիտրոնային լամպերը և վակուումային սպրիտրոնային լամպերը:

 

b. Կառավարելի կայծային պարպիչներ, որոնք ունեն հետևյալ երկու բնութագրերը.

1. Անոդային հապաղումը 15 մկվրկ կամ ավելի ցածր; և

2. Հաշվարկված են 500 Ա կամ ավելի բարձր պիկային հոսանքի համար:

c. Մոդուլներ կամ հավաքվածքներ արագ միացման ֆունկցիայով, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 3A001.հ. կետում, և ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

1. Անոդի պիկային լարումը 2 կիլո Վոլտից ավելի բարձր է;

2. Անոդի պիկային հոսանքը 500 Ա կամ ավելի բարձր է; և

3. Միացման ժամանակը 1 մկվրկ է կամ պակաս:

3A229 Բարձր հոսանքով պուլսային գեներատորներ, ինչպիսիք են.

 

Հ.Ծ. ՏԵ՛Ս ՆԱԵՎ ՌԱԶՄԱԿԱՆ ՆՇԱՆԱԿՈՒԹՅԱՆ ԱՊՐԱՆՔՆԵՐԻ ՎԵՐԱՀՍԿՈՒՄԸ:

 

a. Դետոնատորներ միացնող լրակազմեր (մեկնարկման համակարգեր, կրակային պարպիչներ), ներառյալ էլեկտրոնային լիցքով, պայթյունով պարպվող և օպտիկորեն-պարպվող կրակային լրակազմեր, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 1A007.a. կետում և նախագծված են բազմաթիվ վերահսկվող դետոնատորներ գործարկելու համար, որոնք հատկորոշված են 1A007.b կետում;

b. Մոդուլային էլեկտրական իմպուլսային գեներատորներ (պուլսարներ), որոնք ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

1. Նախագծված են դյուրակիր, շարժական լինելու կամ արտակարգ պայմաններում օգտագործվելու համար;

2. Կարող են իրենց էներգիան պարպել 15 մկվրկ-ից պակաս ժամանակում 40 օհմից պակաս լիցքերով:

3. Ելքի մոտ առաջացնում են 100 Ա-ից բարձր հոսանք;

4. Ոչ մի տարածաչափ չի գերազանցում 30 սմ;

5. Քաշը պակաս է 30 կգ-ից; և

6. Նախագծված են 223K (-50oC)-ից մինչև 373K (100oC) ջերմաստիճանների ընդգրկույթում օգտագործվելու համար կամ կիրառելի են տիեզերական գործողություններում:

 

Ծանոթագրություն. 3A229.b. կետը ներառում է քսենոնային ճեպառկայծող լամպերի շարժիչները:

 

c. Միկրո-պարպող հանգույցներ, որոնք ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

1. Ոչ մի տարածաչափ չի գերազանցում 35 մմ;

2. Լարման հաշվարկը հավասար է կամ մեծ է 1 կիլո Վոլտից; և

3. Հաղորդականությունը հավասար է կամ բարձր է 100 նՖ:

3A230 Գերարագ իմպուլսային գեներատորներ, և «իմպուլսային գլխիկներ», որոնք ունեն հետևյալ երկու բնութագրերը.

a. Ելքի մոտ լարումը 6 Վոլտից բարձր է, դիմադրողական լիցքը պակաս է 55 Օհմից; և

b. «Իմպուլսի անցումային ժամանակը» պակաս է 500 ps {պուլս վայրկյանից}:

 

Տեխնիկական ծանոթագրություններ

1. 3A230 կետում նշված «իմպուլսի անցումային ժամանակը» սահմանվում է որպես ժամանակի միջակայք 10% և 90% լարման ամպլիտուդի մեջ:

2. «Իմպուլսային գլխիկները» իմպուլս ձևավորող ցանցեր են, որոնք նախագծված եմ լարումային քայլի ֆունկցիան մի շարք իմպուլսային ձևերով ընդունելու համար, որոնք կարող են լինել ուղղանկյուն, եռանկյուն, քայլային, իմպուլսային, էքսպոնենտային կամ մոնոցիկլային տեսակների: «Իմպուլսային գլխիկները» կարող են լինել իմպուլսային գեներատորի ինտեգրալային մասը, կարող են լինել փլագ-ին մոդուլ սարքի համար կամ կարող են լինել դրսից միացվող սարքեր:

3A231 Նեյտրոնային գեներատորների համակարգեր, ներառյալ խողովակները, որոնք ունեն հետևյալ երկու բնութագրերը.

a. Նախագծված են առանց արտաքին վակուումային համակարգի աշխատելու համար, և

b. Օգտագործում են հետևյալներից որևէ մեկը.

1. Էլեկտրաստատիկ արագացում տրիտիում-դեյտերիումային միջուկային ռեակցիա հրահրելու համար; կամ

2. Էլեկտրաստատիկ արագացում դեյտերիում-դեյտերիումային միջուկային ռեակցիա հրահրելու համար, որը կարող է տալ 3x10(9) նեյտրոն/վայրկյանում կամ ավելի մեծ ելք:

3A232 Բազմակետ պայթյունահարուցիչ մեկնարկային համակարգեր, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 1A007 կետում, ինչպիսիք են.

 

Հ.Ծ. ՏԵՍ ՆԱԵՎ ՌԱԶՄԱԿԱՆ ՆՇԱՆԱԿՈՒԹՅԱՆ ԱՊՐԱՆՔՆԵՐԻ ՎԵՐԱՀՍԿՈՒՄԸ:

 

Հ.Ծ. Դետոնատորների համար տես` 1A007.b. կետը:

 

a. Չեն օգտագործվում:

b. Մեկ կամ մի քանի դետոնատորներ օգտագործող սարքավորումներ, որոնք նախագծված են, որպեսզի գրեթե միաժամանակ մեկնարկեն պայթուցիկ մակերես` 5000 մմ2-ից ավելի մեծ մակերևույթի վրա մեկ պարպիչ ազդանշանով, որի մեկնարկման ժամանակը ամբողջ մակերեսի տարածքով պակաս է 2,5 մկվրկ-ից:

 

Ծանոթագրություն. 3A232 կետով չեն վերահսկվում այն դետոնատորները, որոնք օգտագործում են միայն առաջնային պայթուցիկներ, ինչպես օրինակ` արճիճի/կապարի ազիդը:

 

3A233 Զանգվածային սպեկտրաչափիչները, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 0B002.g. կետում, որոնք կարող են չափել 230 կամ ավելի բարձր ատոմական զանգված և ունեն 2 մաս 230-ից ավելի բարձր թողունակություն և դրանց իոնային աղբյուրները.

a. Ինդուկտիվորեն կապված պլազմայով զանգվածային սպեկտրաչափիչները;

b. Մարմրող պարպումով զանգվածային սպեկտրաչափիչները;

c. Ջերմային իոնացումով զանգվածային սպեկտրաչափիչները,

d. Էլեկտրոնային ռմբակոծությամբ զանգվածային սպեկտրաչափիչները`, որոնք ունեն երկու հետևյալ բնութագրերը.

1. Մոլեկուլային ճառագայթող մուտքի համակարգ, որը ներարկում է անալիտային մոլեկուլների կոլիմացված ճառագայթ` իոնային աղբյուրի տարածքի մեջ, որտեղ մոլեկուլները իոնացվում են էլեկտրոնային ճառագայթով; և

2. Մեկ կամ ավելի «սառը ծուղակներ», որոնք կարող են սառեցնել մինչև 193K (-80oC) ջերմաստիճան;

e. Չի կիրառվում:

f. Զանգվածային սպեկտրաչափիչներ, որոնք համալրված են միկրոֆտորինացված իոնների աղբյուրով, որոնք նախագծված են ակտինիդների կամ ակտինիդային ֆտորիդների համար:

 

Տեխնիկական ծանոթագրություններ

1. Էլեկտրոնային ռմբակոծության զանգվածային սպեկրտաչափիչները, որոնք հատկանշված են 3A233.d. կետում, հայտնի են նաև որպես էլեկտրոնային ազդեցության զանգվածային սպեկտրաչափիչներ կամ էլեկտրոնային իոնացման զանգվածային սպեկտրաչափիչներ:

2. 3A233.d.2. կետում «սառը ծուղակը» սարք է, որը ծուղակի մեջ է գցում գազային մոլեկուլները` կոնդենսացնելով կամ սառեցնելով դրանք սառը մակերեսների վրա: 3A233.d.2. կետի նպատակների համար, փակ հանգույցով գազային հելիումային կրիոգենային վակուումային պոմպերը չեն համարվում «սառը ծուղակ»:

 

3A234 Բարկոդեր` դետոնատորների ցածր ինդուկտիվությամբ ընթացքի համար, որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերը.

a. Լարումի հաշվարկը մեծ է 2 կիլո Վոլտից; և

b. Ինդուկտիվությունը պակաս է 20 նՀ-ից:

 

3B Փորձարկային, հսկիչ և արտադրական սարքավորումներ

 

3B001 Սարքավորումներ կիսահաղորդչային սարքերի կամ նյութերի արտադրության համար և դրանց համար հատուկ նախագծված բաղադրիչները և հավաքակազմերը, ինչպիսիք են.

 

Հ.Ծ. ՏԵՍ ՆԱԵՎ 2B226:

 

a. էպիտաքսային աճի համար նախագծված սարքավորումներ, ինչպիսիք են.

1. Սարքավորում, որը նախագծված է կամ փոփոխված ցանկացած նյութի շերտ արտադրելու համար, բացի սիլիկոնային նյութերից, որոնց հաստության միատարրությունը պակաս է +/- 2,5%, 75 մմ կամ ավելի մեծ երկարության վրա:

Ծանոթագրություն. 3B001.a.1. կետը ներառում է ատոմական շերտային էպիտաքսիայի (ALE) սարքավորումները:

2. Մետաղական օրգանական քիմիական միացությունների գազաֆազային ծածկույթապատման համար նախագծված տեղակայանքներ, որոնք նախատեսված են կոմպոզիտային կիսահաղորդիչների էպիտաքսային աճեցման համար և իրենց կազմում ունեն հետևյալ նյութերից մեկից կամ մի քանիսից. ալյումին, գալիում, ինդիում, մկնդեղ, ֆոսֆոր, անտիմոն/ծարիրաքար կամ ազոտ:

3. Մոլեկուլային ճառագայթով Էպիտաքսային աճեցման սարքավորումներ, որոնք օգտագործում են գազային կամ կարծր աղբյուրներ:

b. Սարքավորումներ, որոնք նախագծված են իոնային իմպլանտացիայի համար և ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.

1. Չի կիրառվում:

2. Նախագծված և օպտիմալացված են 20 կէՎոլտ կամ ավելի բարձր ճառագայթային էներգիայով և 10 մԱ կամ ավելի բարձր ճառագայթային հոսանքով` ջրածնի, դեյտերիումի կամ հելիումի իմպլանտներով աշխատելու համար;

3. Ունեն անմիջականորեն գրանցելու ունակություն;

4. ճառագայթային էներգիա 65 ԿէՎոլտ կամ ավելի բարձր և 45 մԱ կամ ավելի բարձր ճառագայթային հոսանք` բարձր էներգիայով թթվածնային իմպլանտը տաքացված կիսահաղորդչային նյութերից «սուբստրատի» վրա նստեցնելու համար; կամ

5. Նախագծված և օպտիմալացված են 20 կէՎոլտ կամ ավելի բարձր ճառագայթային էներգիայով և 10 մԱ կամ ավելի բարձր ճառագայթային հոսանքով` սիլիկոնային իմպլանտը մինչև 600oC կամ ավելի բարձր ջերմաստիճան տաքացված կիսահաղորդչային նյութերից «սուբստրատի» վրա նստեցնելու համար:

c. Չի կիրառվում:

d. Չի կիրառվում:

e. Ավտոմատ բեռնավորվող բազմախցիկ կիսահաղորդիչ թիթեղների մշակման համակարգեր, որոնք ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

1. Միջերեսներ/ինտերֆեյսներ կիսահաղորդչային թիթեղների մուտքի և ելքի համար, որոնց միացվելու համար նախագծված են երկու կամ ավելի ֆունկցիոնալ տարբեր «կիսահաղորդչային մշակման գործիքներ», որոնք հատկորոշված են 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3 կամ 3B001.b. կետերում; և

2. Նախագծված են վակուումային միջավայրում ինտեգրված համակարգ ձևավորելու համար` «հաջորդական բազմակի թիթեղների մշակման» համար:

 

Ծանոթագրություն. 3B001.e. կետը չի վերահսկում ավտոմատ ռոբոտային կիսահաղորդչային թիթեղների մշակման համակարգերը, որոնք հատուկ նախագծված են թիթեղների զուգահեռ մշակման համար:

 

Տեխնիկական ծանոթագրություններ

1. 3B001.e. կետի նպատակներով «կիսահաղորդչային մշակման գործիքները» վերաբերում են մոդուլային գործիքներին, որոնք ապահովում են կիսահաղորդիչների արտադրության այն ֆիզիկական գործընթացները, որոնք ֆունկցիոնալ տարբեր են, ինչպես օրինակ ծածկույթապատումը, իմպլանտացիան կամ ջերմային մշակումը:

2. 3B001.e. կետի նպատակներով «հաջորդական բազմակի թիթեղների մշակումը» նշանակում է յուրաքանչյուր թիթեղը տարբեր «կիսահաղորդչային մշակման գործիքներով» մշակելու կարողությունը, ինչպես օրինակ յուրաքանչյուր թիթեղ մեկ գործիքից հաջորդին և հետո երրորդին փոխանցելու կարողությունը ավտոմատացված բեռնավորման կենտրոնական թիթեղով բազմախցիկ մշակման համակարգերը:

f. Վիմատպագրական սարքավորումը, ինչպիսիք են.

1. Հավասարեցման և մշակման համար դիրքավորման քայլի և կրկնության (անմիջական քայլ կիսահաղորդչի թիթեղի վրա) կամ քայլային սքանը/տեսածրումը (սքաններ/տեսածրիչ) սարքավորումները` կիսահաղորդչային թիթեղների մշակման համար, օգտագործելով ֆոտո օպտիկական կամ ռենտգենային վիմատպագրության մեթոդները, որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.

a. Լույսային աղբյուրի ալիքային երկարությունը կարճ է 193 նմ-ից; կամ

b. կարող են արտադրել մոդելային նմուշներ 45 նմ կամ ավելի փոքր «պատկերի չափի նվազագույն թողատվությամբ»;

 

Տեխնիկական ծանոթագրություն.

«Պատկերի չափի նվազագույն թողատվությունը» / ՊՆԹ հաշվարկվում է հետևյալ բանաձևով.

ՊՆԹ = (լույսային ալիքի երկարությունը նմ-երով) x (K գործակից) բաժանած թվային ապերտուրայի վրա:

Որտեղ K գործակիցը = 0,35

2. Դրոշմային վիմատպագրական սարքավորում, որը կարող է արտադրել 45 նմ կամ ավելի փոքր պատկերներ:

 

Ծանոթագրություն. 3B001 f.2. կետը ներառում է.

- Միկրո կոնտակտային տպագրական գործիքներ;

- Տաք քանդակադրոշմման գործիքներ;

- Նանո-տպագրության վիմատպագրական գործիքներ;

- Ստատիկ (դիրքավորում և լույսի ճեպառկայծում) վիմատպագրության (S-FIL) գործիքներ:

 

3. Սարքավորումներ, որոնք հատուկ նախագծված են դրոշմադիմակների արտադրության համար.

a. Օգտագործում են շեղված կիզակետով էլեկտրոնային ճառագայթ, իոնային փունջ կամ «լազերային» ճառագայթ; և

b. Ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.

1. Լրիվ լայնությամբ առավելագույնի կեսի չափով կետի մեծությունը (FWHM) ավելի փոքր է 65 նմ-ից և պատկերի տեղադրումը պակաս է 17 նմ-ից (միջին թվաբանական + 3 սիգմա); կամ

2. Չի կիրառվում:

3. Երկրորդ շերտի դիրքավորման ընդհանուր սխալանքը պակաս է 23 նմ-ից (միջին թվաբանական + 3 սիգմա) դրոշմադիմակի վրա:

4. Սարքավորում, որը նախագծված է մեքենայական մշակման համար` օգտագործելով ուղիղ գրանցման մեթոդները, որոնք ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

a. շեղված կիզակետով էլեկտրոնային ճառագայթ; և

b. ունեն բոլոր հետևյալ հատկությունները.

1. փնջի նվազագույն մեծությունը հավասար է կամ փոքր է 15 նմ; կամ

2. ընդհանուր սխալանքը պակաս է 27 նմ-ից (միջին թվաբանական + 3 սիգմա);

g. Դրոշմադիմակներ և վիզիրային թելերի ցանցեր, որոնք նախագծված են 3A001 կետով հատկորոշվող ինտեգրալային սխեմաների համար:

h. Բազմաշերտ դրոշմադիմակներ ֆազային տեղադրման շերտով, որոնք չեն հատկորոշված 3A001.g. կետով և ունեն հետևյալ բնութագրերը.

1. Պատրաստված են դրոշմադիմակի «սուբստրատային նախաշինվածքի» վրա` ապակուց, որը հատկորոշված է 7 նմ/սմ-ից պակաս ճառագայաթաբեկումով; կամ

2. Նախագծված են այնպիսի վիմատպագրական սարքավորման կողմից օգտագործվելու համար, որի լույսային ճառագայթի ալիքի երկարությունը պակաս է 245 նմ-ից;

 

Ծանոթագրություն 3B001.h. կետով չեն վերահսկվում բազմաշերտ դրոշմադիմակները, որոնց ֆազային տեղադրման շերտը նախագծված է այնպիսի հիշողության սարքեր պատրաստելու համար, որոնք չեն վերահսկվում 3A001 կետով:

 

i. Դրոշմային վիմատպագրական կաղապարներ, որոնք նախագծված են 3A001 կետում հատկորոշված ինտեգրալային սխեմաների արտադրության համար:

3B002 Փորձարկման սարքավորում, որը հատուկ նախագծված է ավարտուն կամ կիսավարտ կիսահաղորդչային սարքերի և դրանց հատուկ նախագծված բաղադրիչների համար.

a. Տրանզիստորային սարքերի «Sև-պարամետրերի փորձարկման համար 31,8 ԳՀց-ից բարձր հաճախականություններում

b. Չի կիրառվում:

c. 3A001.b.2. կետում բնութագրված միկրոալիքային ինտեգրալային սխեմաների փորձարկման համար:

 

3C Նյութեր

 

3C001 Հետերո-էպիտաքսային նյութեր` կազմված «սուբստրատի» վրա աճեցված մի քանի հաջորդական էպիտաքսային բազմակի շերտերից, որոնք ունեն հետևյալ բաղադրիչներից որևէ մեկը.

a. Սիլիցիում (Si);

b. Գերմանիում (Ge);

c. Կարբիդի սիլիկոն (SiC); կամ

d. Գալիումի կամ ինդիումի հիմքով «III/V միացություններ»:

Ծանոթագրություն 3C001.d. կետով չեն վերահսկվում այն «սուբստրատները», որոնք ունեն մեկ կամ ավելի P-տեսակի էպիտաքսային շերտեր GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP կամ InGaAlP, անկախ էլեմենտների հաջորդականությունից, բացառությամբ, եթե P-տեսակի էպիտաքսային շերտը գտնվում է N-տեսակի շերտերի արանքում:

3C002 Պաշտպանական շերտերի նյութեր և «սուբստրատներ» ծածկույթապատված այդ նյութերով, ինչպիսիք են.

a. Պաշտպանական նյութեր` նախագծված կիսահաղորդչային վիմատպագրության համար, ինչպիսիք են.

1. Դրական պաշտպանական նյութեր հարմարեցված (օպտիմալացված) 245 նմ-ից պակաս, բայց 15 նմ-ից ավելի մեծ ալիքային երկարությունների հետ օգտագործվելու համար;

2. Պաշտպանական նյութեր հարմարեցված (օպտիմալացված) 15 նմ-ից պակաս, բայց 1 նմ-ից ավելի մեծ ալիքային երկարությունների հետ օգտագործվելու համար;

b. Բոլոր պաշտպանական նյութերը, որոնք նախատեսված են էլեկտրոնային կամ իոնային փնջերով լուսակայման դեպքում` 0,01 մկԿուլոն մմ2 կամ ավելի բարձր զգայունությամբ օգտագործվելու համար;

c. Չի կիրառվում:

d. Բոլոր պաշտպանական նյութերը, որոնք օպտիմալացված են մակերեսային պատկերագրման տեխնոլոգիաների համար;

e. Բոլոր պաշտպանական նյութերը, որոնք օպտիմալացված են դրոշմային վիմատպագրության սարքավորման համար, որը հատկորոշված է 3B001.f.2. կետում, և օգտագործվում է ջերմային կամ ֆոտո-հագեցման գործընթացներում:

3C003 Օրգանա-անօրգանական միացություններ, ինչպիսիք են.

a. Օրգանամետաղական միացություններ, որոնց կազմի մեջ մտնում են ալյումին կամ գալիում կամ ինդիում և ունեն (մետաղական հիմքի) 99,999%-ից բարձր մաքրություն;

b. Օրգանամկնդեղային, օրգանածարիրաքարային և օրգանաֆոսֆորային միացություններ` որոնք ունեն (անօրգանական հիմքի) 99,999%-ից բարձր մաքրություն;

 

Ծանոթագրություն. 3C003 կետով վերահսկվում են միայն այն միացությունները, որոնց մետաղական, մասնակի մետաղական կամ ոչ մետաղական տարրը ուղղակիորեն կապված է ածխածնի հետ մոլեկուլի օրգանական մասում:

 

3C004 Ֆոսֆորի, մկնդեղի կամ ծարիրաքարի հիդրիդներ, որոնց մաքրությունը ավելի բարձր 99,999%-ից անգամ իներտ գազերում կամ ջրածնում լուծելուց հետո:

 

Ծանոթագրություն. 3C004 կետով չեն վերահսկվում այն հիդրիդները, որոնք պարունակում են 20%/մոլային կամ ավելի բարձր իներտ գազեր կամ ջրածին:

 

3C005 Սիլիկոն ածխածնի (SiC), գալիումի նիտրիդի (GaN), ալյումինի նիտրիդի (AlN) կամ ալյումին-գալիումի նիտրիդի (AlGaN) կիսահաղորդիչ «սուբստրատներ», կամ նշված նյութերի ձուլվածքներ, ձուլակտորներ կամ այլ նախաձևերը, որոնց դիմադրողականությունը ավելի բարձր է 10 000 օհմ/սմ-ից 20oC ջերմաստիճանում:

3C006 «Սուբստրատներ», որոնք հատկորոշված են 3C005 կետում և ունեն սիլիկոնային կարբիդի, գալիումի նիտրիդի, ալյումինի նիտրիդի կամ ալյումին-գալիումի նիտրիդի առնվազն մեկ էպիտաքսային շերտ:

 

3D Ծրագրային ապահովում

 

3D001 «Ծրագրային ապահովում», որը հատուկ նախագծված է 3A001.b.-ից մինչև 3A002.հ. կամ 3B կետերում նշվող սարքավորումների «մշակման» կամ «արտադրության» համար:

3D002 «Ծրագրային ապահովում», որը հատուկ նախագծված է 3B001.a.-ից մինչև 3B001.f., 3B002 կամ 3A225 կետերում նշվող սարքավորումներում օգտագործվելու համար:

3D003 «Ֆիզիկական հիմքով» սիմուլացիոն «ծրագրային ապահովում», որը հատուկ նախագծված է վիմատպագրության, կերագծման և ծածկույթապատման գործընթացների «մշակման» համար` դրոշմադիմակային ձևանմուշները հատուկ տոպոգրաֆիկական ձևանմուշների փոխակերպելու համար` հաղորդիչների, դիէլեկտրիկների կամ կիսահաղորդիչների նյութերի մեջ:

 

Տեխնիկական ծանոթագրություն

«ֆիզիկական հիմք» 3D003 կետում նշանակում է օգտագործել համակարգչային հնարավորությունները ֆիզիկական հանգամանքների հիման վրա իրադարձությունների ֆիզիկական պատճառահետևանքային հաջորդականությունը որոշելու համար (օրինակ, ջերմաստիճան, ճնշում, դիֆուզիոն կոնստանտ և կիսահաղորդչային նյութերի հատկություններ):

 

Ծանոթագրություն. Կիսահաղորդչային սարքերի կամ ինտեգրալային սխեմաների նախագծման համար նախատեսված նախագծային ատրիբուտների կամ ուղեկցող տվյալների գրադարանները, դիտվում են որպես «տեխնոլոգիա»:

 

3D004 «Ծրագրային ապահովում», որը հատուկ նախագծված կամ ձևափոխված է 3A003 կետով վերահսկվող սարքավորումների «մշակման» համար:

3D101 «Ծրագրային ապահովում», որը հատուկ նախագծված կամ ձևափոխված է 3A101.b. կետով վերահսկվող սարքավորումների «օգտագործման» համար:

3D225 «Ծրագրային ապահովում», որը հատուկ նախագծված է 3A225 կետի բնութագրերին բավարարող հաճախականության փոխակերպիչների և գեներատորների կատարողականության բարելավման կամ սահմանափակումներից ազատման համար:

 

3E Տեխնոլոգիա

 

3E001 «Տեխնոլոգիաներ», որոնք համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության նախատեսված են 3A, 3B կամ 3C կետերով հսկվող սարքավորումների կամ նյութերի «մշակման» կամ «արտադրության» համար:

 

Ծանոթագրություն 1. 3E001 կետով չեն վերահսկվում 3A003 կետով վերահսկվող սարքավորումների կամ դրանց բաղադրամասերի «տեխնոլոգիաները»:

 

Ծանոթագրություն 2. 3E001 կետով չեն վերահսկվում 3A001.a.3.-ից մինչև 3A001.a.12. կետերով հսկվող ինտեգրալային սխեմաների «տեխնոլոգիաները», որոնք ունեն բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

a. Օգտագործում են 0,130 մկմ կամ ավելի բարձր մակարդակի «տեխնոլոգիա», և

b. Ստեղծում են բազմաշերտ կառուցվածքներ երեք կամ դրանից պակաս շերտերով:

 

3E002 «Տեխնոլոգիաներ», որոնք համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 3E001 կետով, նախատեսված են «միկրոպրոցեսորային միկրոսխեմաների», «միկրոհամակարգչային միկրոսխեմաների» կամ միկրովերահսկիչ միկրոսխեմաների «մշակման» կամ «արտադրության» համար, որոնք ունեն թվաբանական տրամաբանության հանգույց 32 բիտ կամ ավելի մեծ ընտրանքով և հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.

a. «Վեկտորային պրոցեսորային հանգույցը» նախագծված է միաժամանակ երկուսից ավելի հաշվարկ կատարելու համար` լողացող կետով վեկտորների վրա (32 բիտ կամ ավելի մեծ թվով մեկ-տարածաչափային ցանցերում):

 

Տեխնիկական ծանոթագրություն

«Վեկտորային պրոցեսորային հանգույցը» պրոցեսորային տարր է, ներկառուցված հրահանգներով, որոնք միաժամանակ բազմակի հաշվարկներ են կատարում լողացող կետի վեկտորների վրա (մեկ տարածաչափային ցանցեր 32 կամ բիտերի ավելի մեծ քանակով), և ունեն առնվազն մեկ վեկտորային մաթեմատիկական տրամաբանության հանգույց և վեկտորային գրանցիչ, յուրաքանչյուրը կազմված առնվազն 32 տարրերից:

 

b. Նախագծված են կատարելու չորսից ավելի 64-բիտից ավելի մեծ լողացող-կետային գործողություններ մեկ ցիկլում; կամ

c. Նախագծված են կատարելու ութից ավելի 16-բիտ հաստատագրված կետային բազմակի կուտակային գործողություններ մեկ ցիկլում (օրինակ անալոգային տեղեկույթի հետ թվային մանիպուլյացիա, որը մինչ այդ փոխակերպված է եղել թվային ձևի, և հայտնի է նաև որպես թվային «ազդանշանի պրոցեսինգ»):

 

Ծանոթագրություն 1. 3E002 կետով չի վերահսկվում մուլտիմեդիա կիրառումների «տեխնոլոգիան»:

 

Ծանոթագրություն 2. 3E002 կետով չի վերահսկվում միկրոպրոցեսորային միջուկների համար օգտագործվող «տեխնոլոգիան», որն ունի բոլոր հետևյալ բնութագրերը.

a. Օգտագործում է «տեխնոլոգիան» 0,130 մկմ կամ ավելի բարձր մակարդակի վրա; և

b. Ներկառուցում են բազմաշերտ կառուցվածքներ հինգ կամ ավելի քիչ մետաղական շերտերով:

 

Ծանոթագրություն 3: 3E002 կետը ներառում է «տեխնոլոգիա» ազդանշանների մշակման թվային պրոցեսորների և թվային ցանցերի պրոցեսորների «մշակման» կամ «արտադրության» համար:

 

3E003 Այլ «տեխնոլոգիա», որը կիրառվում է հետևյալ առարկաների «մշակման» կամ «արտադրության» համար.

a. Վակուումային միկրոէլեկտրոնային սարքեր,

b. Հետերո-կառուցվածքների կիսահաղորդչային էլեկտրոնային սարքեր, ինչպիսիք են էլեկտրոնների բարձր շարժունակությամբ տրանզիստորները, հետերո-երկբևեռային տրանզիստորները, քվանտային հորերով գերցանցային սարքերը,

 

Ծանոթագրություն. 3E003.b. կետը չի վերահսկում «տեխնոլոգիան» բարձր էլեկտրոնային շարժունակությամբ տրանզիստորների (HEMT) համար, որոնք աշխատում են 31,8 ԳՀց-ից ցածր հաճախականություններում և հետերո-միացումային երկբևեռ տրանզիստորները (HBT), որոնք աշխատում են 31,8 ԳՀց-ից ցածր հաճախականություններում:

 

c. «Գերհաղորդիչ» էլեկտրոնային սարքեր,

d. Սուբստրատներ պատրաստված ալմաստի թաղանթներից էլեկտրոնային բաղադրիչների համար,

e. Մեկուսիչի վրա սիլիցիումի շերտով սուբստրատներ` պատրաստված ինտեգրալային սխեմաների համար, որտեղ մեկուսիչը սիլիցիումի երկօքսիդ է;

f. Սիլիցիումի կարբիդից սուբստրատներ էլեկտրոնային բաղադրիչների համար;

g. «Վակուումային էլեկտրոնային սարքեր», որոնք աշխատում են 31,8 ԳՀց կամ ավելի բարձր հաճախություններում:

3E101 «Տեխնոլոգիա», որը համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության նախատեսված է 3A001.a.1. կամ 2., 3A101, 3A102 կամ 3D101 կետերում հատկորոշված սարքավորումների կամ «ծրագրային ապահովման» «օգտագործման» համար:

3E102 «Տեխնոլոգիա», որը համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության նախատեսված է 3D101 կետով վերահսկվող «ծրագրային ապահովման» «մշակման» համար:

3E201 «Տեխնոլոգիա», որը համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության նախատեսված է 3A001.e.2., 3A001.e.3., 3A001.g., 3A201, 3A225 -3A234 կետերով վերահսկվող սարքավորումների «օգտագործման» համար:

3E225 «Տեխնոլոգիա» կոդերի կամ բանալիների ձևով, որը նախատեսված է հաճախականություն փոխող սարքերի կամ գեներատորների կատարողականությունը ուժեղացնելու կամ բարձրացնելու համար, որոնք բավարարում են 3A225 կետի բնութագրերին:

 

ՀԱՎԵԼՎԱԾ I (ՄԱՍ VI - Կատեգորիա 4)

 

ԿԱՏԵԳՈՐԻԱ 4 - ՀԱՄԱԿԱՐԳԻՉՆԵՐ

 

Ծանոթագրություն 1. Համակարգիչները, հարակից սարքավորումները և «ծրագրային ապահովումը», որոնք իրականացնում են հեռահաղորդակցություն կամ գործառույթներ «տեղական տարածքային ցանցերում» պետք է գնահատվեն նաև Կատեգորիա 5-ի մաս 1-ի (Հեռահաղորդակցություն) կատարողական բնութագրերով:

 

Ծանոթագրություն 2. Կառավարման այն հանգույցները, որոնք անմիջականորեն կապում են կենտրոնական պրոցեսորների հենքերը/բասերը կամ կապուղիները, «հիմնական օպերատիվ հիշողությունը» կամ դիսկերի կառավարման հանգույցները չեն դիտարկվում որպես հեռահաղորդակցման սարքավորում, որը նկարագրված է Կատեգորիա 5-ի մաս 1-ում (Հեռահաղորդակցություն):

 

Հ.Ծ. Փաթեթային կոմուտացիայի համար հատուկ ստեղծված «ծրագրային ապահովման» վերահսկման կարգավիճակի համար տես 5D001 կետը:

 

4A Համակարգեր, սարքավորումներ և բաղադրիչներ:

 

4A001 Էլեկտրոնային համակարգիչներ և հարակից սարքավորումներ և «էլեկտրոնային հավաքվածքներ» և դրանց համար հատուկ նախագծված բաղադրիչները, որոնք ունեն հետևյալ բնութագրերից որևէ մեկը.

 

Հ.Ծ. ՏԵ՛Ս ՆԱԵՎ 4A101:

 

a. Հատուկ ստեղծված են հետևյալ բնութագրերով.

1. Որակավորված են արտաքին միջավայրի 228K (-45oC)-ից ցածր կամ 358K (85oC)-ից բարձր ջերմաստիճաններում աշխատելու համար; կամ

Ծանոթագրություն. 4A001. a.1. կետը չի վերահսկում այն համակարգիչները, որոնք հատուկ ստեղծված են քաղաքացիական ավտոմեքենաներում, երկաթուղային գնացքներում կամ «քաղաքացիական ինքնաթիռներում» օգտագործվելու համար:

2. Պաշտպանված են ճառագայթահարումից հետևյալ պահանջներից որևէ մեկին բավարարելու համար.

a. Ընդհանուր դոզան. 5 x 10(3) Gy (սիլիկոն);

b. Դոզայի ազդեցության խզման սահմանային արժեքը. 5 x 10(6) գրեյ (սիլիկոն)/վրկ; կամ

c. Եզակի իրադարձության առաջացրած խզումը. 1 x 10(-8) սխալ/բիտ/օր,

 

Ծանոթագրություն 4A001.a.2. կետով չեն վերահսկվում այն համակարգիչները, որոնք հատուկ նախագծված են «քաղաքացիական ավիացիայի» կիրառումների համար:

 

b. Չի կիրառվում:

4A003 «Թվային համակարգիչներ», «էլեկտրոնային հավաքվածքներ» և հարակից սարքավորումներ, ինչպես նաև դրանց համար հատուկ նախագծված բաղադրիչները, ինչպիսիք են.

 

Ծանոթագրություն 1. 4A003 կետը ներառում է.

- «Վեկտորային պրոցեսորներ»;

- Մատրիցային պրոցեսորներ;

- Թվային ազդանշանի պրոցեսորներ;

- Տրամաբանական պրոցեսորներ;

- Սարքավորում` նախագծված «պատկերի հատկությունների ուժեղացման» համար:

 

Ծանոթագրություն 2. 4A003 կետում նկարագրված «թվային համակարգիչների» և հարակից սարքավորումների վերահսկման կարգավիճակը որոշվում է այլ սարքավորումների կամ համակարգերի վերահսկման կարգավիճակով, եթե.

a. «Թվային համակարգիչները» կամ հարակից սարքավորումը էականորեն անհրաժեշտ են այլ սարքավորումների կամ համակարգերի աշխատանքի համար;

b. «Թվային համակարգիչները» կամ հարակից սարքավորումը չեն համարվում այլ սարքավորումների կամ այլ համակարգերի «հիմնական տարրերև; և

Հատուկ ծանոթագրություն 1. «Ազդանշանի մշակման» կամ «պատկերի որակի բարելավման» սարքավորումների վերահսկման կարգավիճակը, երբ այդ սարքավորումները հատուկ նախագծված են այլ սարքավորումների համար, որոնց ֆունկցիաները սահմանափակվում են նրանցով, որոնք պահանջվում են այլ սարքավորումների համար, որոշվում է այն մյուս սարքավորումների վերահսկման կարգավիճակով, անգամ եթե դա գերազանցում է «հիմնական տարրի» չափանիշը:

Հատուկ ծանոթագրություն 2. «Թվային համակարգիչների» կամ հեռահաղորդակցության համար հարակից սարքավորումների վերահսկման կարգավիճակի համար տես Կատեգորիա 5, Մաս 1 (Հեռահաղորդակցություն):

c. «Թվային համակարգիչների» և հարակից սարքավորումների համար նախատեսված «տեխնոլոգիան» կարգավորվում է 4E կետով:

 

a. Չի կիրառվում:

b. «Թվային համակարգիչներ», որոնց «Հաշվարկված առավելագույն արտադրողականությունը» (ՀԱԱ) գերազանցում է 16 Տեսակարար ՏերաՖԼՈՊ (WT):

c. «Էլեկտրոնային հավաքվածքներ», որոնք հատուկ նախագծված կամ ձևափոխված են` պրոցեսորների ագրեգացման միջոցով կատարողականությունը բարձրացնելու համար, այնպես որ ագրեգացման «ՀԱԱ»-ն գերազանցի այն սահմանը, որը հատկորոշված է 4A003.b. կետում:

 

Ծանոթագրություն 1. 4A003.c. կետը տարածվում է միայն այն «էլեկտրոնային հավաքվածքների» և ծրագրավորելի փոխհաղորդակցության միջոցների վրա, որոնք չեն գերազանցում 4A003.b. կետում հատկորոշված սահմանները, երբ առաքվում են որպես ոչ կապակցված «էլեկտրոնային հավաքվածքներ»:

 

Ծանոթագրություն 2. 4A003.c. կետով չեն վերահսկվում այն «էլեկտրոնային հավաքվածքները», որոնք հատուկ նախագծված են որևէ արտադրանքի կամ արտադրանքների ամբողջական ընտանիքի համար, որոնց առավելագույն փոխդասավորությունը/կոնֆիգուրացիան չի գերազանցում 4A003.b. կետում հատկորշված սահմանները:

d. Չի կիրառվում:

e. Չի կիրառվում:

f. Չի կիրառվում:

g. Սարքավորումներ, որոնք հատուկ նախագծված են «թվային համակարգիչների» կամ հարակից սարքավորումների կատարողականությունը ագրեգացնելու համար` արտաքին փոխադարձ միացումներ ապահովելու միջոցով, ինչը թույլ է տալիս, որպեսզի մեկ ուղղությամբ տվյալների փոխհաղորդակցման արագությունը գերազանցի 2,0 Գիգա բայտ/վայրկյանում ամեն կապի վրա:

 

Ծանոթագրություն. 4A003.g. կետով չեն վերահսկվում ներքին փոխադարձ միացումների համար նախատեսված սարքավորումները (օրինակ` կառավարման վահանակները, փոխհաղորդակցման հենքերը) պասիվ փոխհաղորդակցման սարքավորումները, «ցանցի մուտքի հսկիչները» կամ «հաղորդակցման կապուղու հսկիչները»:

 

4A004 Համակարգիչները և դրանց համար հատուկ նախագծված հարակից սարքավորումները, «էլեկտրոնային հավաքվածքները» և դրանց համար նախատեսված բաղադրիչները.

a. «Սիստոլիկ մատրիցայով համակարգիչները»;

b. «Նեյրոնային համակարգիչները»;

c. «Օպտիկական համակարգիչները»:

4A005 Համակարգեր, սարքավորումներ և դրանց բաղադրամասերը, որոնք հատուկ նախագծված են կամ ձևափոխված «ներխուժման ծրագրային ապահովում» ստեղծելու, հրահանգելու և վերահսկելու, կամ առաքելու համար:

4A101 Անալոգային համակարգիչներ, «թվային համակարգիչներ» կամ թվային դիֆերենցիալ վերլուծիչներ, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշված են 4A001.a.1. կետում, որոնք կառուցված են և նախագծված արտակարգ իրավիճակներում օգտագործվելու համար, օրինակ տիեզերական թռչող սարքերում, որոնք վերահսկվում են 9A004 կետով կամ հիդրոօդերևութաբանական ձայնային հրթիռներում օգտագործվելու համար, որոնք վերահսկվում են 9A104 կետով:

4A102 «Հիբրիդային համակարգիչները», որոնք հատուկ նախագծված են 9A004 կետով վերահսկվող տիեզերական սարքերի կամ 9A104 կետով վերահսկվող ձայնային օդերևութաբանական հրթիռների նախագծման մոդելավորման, նմանակման կամ ինտեգրման համար:

 

Ծանոթագրություն. Այդ վերահսկողությունը կիրառվում է միայն այն դեպքում, եթե սարքավորումը զինված է 7D103 կամ 9D103 կետերով վերահսկվող «ծրագրային ապահովմամբ»:

 

4B Փորձարկային, հսկիչ և արտադրական սարքավորումներ

Բացակայում են:

 

4C Նյութեր

Բացակայում են:

 

4D Ծրագրային ապահովում

Ծանոթագրություն. Այլ կատեգորիաներում նկարագրված սարքավորումների «ծրագրային ապահովման» վերահսկման կարգավիճակը որոշվում է համապատասխան Կատեգորիայով:

 

4D001 «Ծրագրային ապահովում», ինչպիսիք են.

a. «Ծրագրային ապահովում» որը հատուկ նախագծված է կամ ձևափոխված 4A001-ից մինչև 4A004 կամ 4D կետերում նշվող սարքավորումների կամ «ծրագրային ապահովման» կամ սարքավորման «մշակման» կամ «արտադրության» համար;

b. «Ծրագրային ապահովում», բացի նրանցից, որոնք հատկորոշվում են 4D001.a կետով, որոնք հատուկ նախագծված են կամ ձևափոխված հետևյալ սարքավորման «մշակման» կամ «արտադրության» համար,

1. «Թվային համակարգիչներ», որոնց «Հաշվարկված առավելագույն արտադրողականությունը» (ՀԱԱ) գերազանցում է 8,0 Տեսակարար ՏերաՖԼՈՊ (WT);

2. «Էլեկտրոնային հավաքվածքներ» հատուկ նախագծված կամ ձևափոխված` կատարողականություն ուժեղացնելու նպատակով, պրոցեսորներն այնպես ագրեգացնելու միջոցով, որպեսզի ագրեգացման «Հաշվարկված առավելագույն արտադրողականությունը» (ՀԱԱ) գերազանցի 4E001.b. կետում հատկորոշված սահմանները:

4D002 Չի կիրառվում:

4D003 Չի կիրառվում:

4D004 «Ծրագրային ապահովում», որը հատուկ նախագծված է կամ ձևափոխված «ներխուժման ծրագրային ապահովման» ստեղծման, հրահանգման և վերահսկման կամ առաքման համար:

 

4E Տեխնոլոգիաներ

 

4E001

a. «Տեխնոլոգիա», որը համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության, նախատեսված է 4A կամ 4D կետերում հատկորոշվող սարքավորումների կամ «ծրագրային ապահովման» «մշակման», «արտադրության» կամ «օգտագործման» համար:

b. «Տեխնոլոգիա», որը համաձայն Ընդհանուր տեխնոլոգիական ծանոթագրության, բացի նրանցից, որոնք հատկորոշվում են 4E001.a. կետում, նախատեսված է հետևյալ սարքավորումների «մշակման» կամ «արտադրության» համար.

1. «Թվային համակարգիչներ», որոնց «Հաշվարկված առավելագույն արտադրողականությունը» (ՀԱԱ) գերազանցում է 8,0 Տեսակարար ՏերաՖԼՈՊ (WT);

2. «Էլեկտրոնային հավաքվածքներ» հատուկ նախագծված կամ ձևափոխված` կատարողականություն ուժեղացնելու նպատակով, պրոցեսորներն այնպես ագրեգացնելու միջոցով, որպեսզի ագրեգացման «Հաշվարկված առավելագույն արտադրողականությունը» (ՀԱԱ) գերազանցի 4E001.b. կետում հատկորոշված սահմանները;

c. «Տեխնոլոգիա» «ներխուժման ծրագրային ապահովման» զարգացման/մշակման համար:

 

----------------------------------------------------

ԻՐՏԵԿ - շարունակությունը հաջորդ մասերում

 

 

pin
ՀՀ կառավարություն
15.12.2011
N 1785-Ն
Որոշում